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碲硒氧材料提升無機半導體，增強電子空穴傳輸
城大研發
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城大團隊巧妙地將不同類型的 p 型無機材料組合，調控能帶結構，實現了可調的能帶隙，範圍從 0.7 到 2.2 電子伏，覆蓋紫外、可見光、短波紅外波段。
大多數無機半導體中，電子傳輸佔了主導地位，因而限制了互補型器件和電路的發展。香港城市大學（城大）的研究團隊，最近通過無機共混策略（inorganic blending strategy），在此方面取得重大進展，成功增強無機半導體中的空穴傳輸。研究團隊將不同類型的本徵 p 型無機材料組合成一種名為碲硒氧（TeSeO）的化合物，從而實現這一目標。
研究成果已發表於科學期刊《自然 － 通訊》（Nature Communications），題為 An inorganic-blended p-type semiconductor with robust electrical and mechanical properties。
城大協理副校長（企業）及材料科學及工程學系教授何頌賢教授及團隊，成功開發出了空氣穩定、遷移率高的碲硒氧薄膜晶體管和柔性光電探測器，其性能優於傳統的 p 型薄膜半導體 － 包括金屬氧化物、金屬鹵化物和有機材料。
基於無機共混策略的碲硒氧半導體材料
傳統 p 型半導體中，能帶隙的連續調節甚具挑戰性。然而，城大團隊巧妙地將不同類型的 p 型無機材料組合，調控能帶結構，實現了可調的能帶隙，範圍從 0.7 到 2.2 電子伏，覆蓋紫外、可見光、短波紅外波段。
P 溝道碲硒氧薄膜晶體管的轉移曲線和遷移率
城大表示，這一新器件表現出了卓越的性能和耐用性，為該領域樹立了新的標準，並為高遷移率的 p 型晶體管、太陽能電池、寬帶光電探測器等應用開闢了令人鼓舞的前景。
何頌賢教授
論文第一作者為城大孟優博士、王偉軍博士及范蓉博士。通訊作者為城大何頌賢教授、香港大學機械工程系陸洋教授、城大化學系黃駿弦博士。其他合作者包括日本九州大學材料化學與工程研究所的葉晨寶教授。
來源：香港城市大學
城大研發
碲硒氧材料提升無機半導體
增強電子空穴傳輸
