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昨天，“行家说三代半”报道了北一半导体等多个SiC项目进展（.点这里.）；近日，国内外又有多个相关项目有新进度披露：
● 住友科技：计划建设8英寸SiC产线，预计月产达1万片（折合6英寸算）。
● 特凯斯：碳化硅原材料及碳化硅衬底项目落户浙江台州。
● 北京世宇：新建高纯碳化硅粉末及籽晶生产项目，总投资12亿元。
● 派沃福半导体：SiC功率器件生产项目（一期）通过验收，总投资2亿元。
住友科技：
将建8吋SiC项目
9月27日，住友金属矿业株式会社官方宣布，他们计划通过其子公司Sicoxs，在2025年之前建立一条8英寸SiC衬底量产线，预计投资金额将达到数百亿日元（100亿日元≈4.9亿人民币）。
据悉，Sicoxs将在鹿儿岛县的工厂内建立这条8英寸SiC量产线，该8英寸生产线将基于Sicoxs独特的衬底制造技术“SiCkrest”建设，该技术将SiC单晶衬底键合在SiC多晶衬底上，据称在一片单晶碳化硅衬底上可生产超50片键合碳化硅衬底，这样既可以减少SiC单晶衬底的使用量，又可以获得与单晶衬底相同的器件特性，低电阻和高强度“一举两得”。
实际上，住友早在2022年7月就宣布将投资开发8英寸SiC产品，目前已向客户送样验证；预计到2025财年下半年，加上现有的6英寸SiC生产线，Sicoxs的月产能合计可达1万片（折合6英寸算），届时将开始向合作客户供应多晶SiC衬底。
特凯斯：
SiC项目落户仙居
据“人民网杭州”报道，9月25日，第三届数贸会重大项目签约仪式上，现场共签约36个投资类项目，总投资额达1024.8亿元。其中，台州有4个项目参与此次集中签约，包括碳化硅原材料及碳化硅衬底项目。
据介绍，该碳化硅项目签约方为特凯斯新材料有限公司，该公司计划在仙居县建立第三代半导体上游产业中心，以进一步扩大其在行业中的影响力。
资料显示，特凯斯成立于2024年5月，是一家由海外留学归国人员创立的开发、生产第三代半导体材料的高科技公司。公司核心团队从事SiC相关材料和器件的开发累计已经超过50年的历史，独有的专利技术能够大幅降低第三代半导体器件的成本，提高性能，促进第三代半导体的大规模普及。
9月中旬，特凯斯对外公布了其年产1200吨碳化硅粗品项目的环境影响评价信息，该项目产品预计全部自用，不对外销售。
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北京世宇：
新建SiC原料项目
9月29日，据“丽水经济技术开发区”官微消息，位于丽水经开区的一SiC项目用地成功摘牌——
报道称，高纯碳化硅粉末及籽晶生产项目投资方为北京世宇企业管理有限公司，该项目总投资12亿元，项目分两期建设，其中一期投资7亿元，可形成年产400吨6N级超高纯碳化硅粉末、4万片6-8英寸籽晶、135台碳化硅专用设备制造的生产能力。
“行家说三代半”了解到，北京世宇成立于2017年，是韩国STI公司在中国的战略合作公司及持股公司，从事柔性显示屏设备制造、半导体设备制造、空气净化设备进出口等业务。该项目将以北京世宇作为投资主体，在经开区注册成立新公司，从STI公司导入技术，进行项目的建设、生产及销售。
派沃福半导体：
SiC项目通过验收
据“水土保持公示网”披露，由派沃福半导体建设的SiC功率器件生产项目（一期）已于2023年11月通过验收。
公告披露，该项目位于江苏南通市，项目总投资2.04亿元，分两期建设：其中一期工程于2021年8月开工建设，于2022年6月完工，二期工程暂未开工建设，本次验收范围为一期工程。
企查查显示，派沃福半导体成立于2020年10月，致力于二极管、场效应管、整流桥、IGBT以及第三代碳化硅功率器件等半导体产品的研发、生产和销售 ，广泛应用于家用电器、绿色照明、通信电源、工业控制、光伏、新能源汽车和5G 通信产品等领域。
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