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https://www.nature.com/articles/s41586-024-07792-4.pdf
可靠地控制半导体的电导率及其极性是现代电子学的核心，并导致了二极管、晶体管、太阳能电池、光电探测器、发光二极管和半导体激光器等关键发明。对于 Si 和 GaN 等典型半导体，正 (p) 型和负 (n) 型电导率是通过将电子接受元素和电子捐赠元素分别掺杂到晶格中实现的 。对于卤化物钙钛矿这种新兴的半导体，可靠地控制电荷传导行为同时保持高光电品质的机制尚未发现。作者在此报告，可以通过加入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂来调整宽带隙钙钛矿半导体中的 p 型和 n 型特性。对于 p 型和 n 型样品，所得载流子浓度超过 10^13 cm^-3，霍尔系数范围从 −0.5 m^3 C^-1（n 型）到 0.6 m^3 C^-1（p 型）。观察到费米能级在带隙中的偏移。重要的是，实现了从 n 型到 p 型导电性的转变，同时保持了 70-85% 的高光致发光量子产率。发射钙钛矿半导体中的可控掺杂使得在具有简单结构的钙钛矿发光二极管中实现了超高亮度（超过 1.1 × 10^6 cd m^-2）和出色的外部量子效率（28.4%）。
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