CNews近日报道，俄罗斯已正式公布了其开发自有光刻机的详细路线图，目标直指制造成本更低、技术更复杂的设备，以与当前的行业巨头ASML展开竞争。这一计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导，旨在打造性能出众且运营成本更为经济的EUV光刻机。
新波长，新挑战
不同于ASML采用的13.5纳米波长，俄罗斯的光刻机将使用11.2纳米的激光器。这一选择虽然能将分辨率提升20%，带来更精细的电路图案和更低的光学元件成本，但同时也意味着与现有的EUV基础设施不兼容。Chkhalo指出，这一波长的调整能显著减少光学元件的污染，延长关键部件的使用寿命，并允许使用在短波长下性能更佳的硅基光刻胶。
然而，这一转变并非易事。所有光学元件、激光源、光刻胶化学、污染控制等支持技术都需要针对11.2纳米波长进行全新的设计和优化。此外，电子设计自动化（EDA）工具也需更新，以适应新波长的光刻工艺，包括掩模数据准备、光学邻近校正（OPC）和分辨率增强技术（RET）等关键步骤的重新校准。
分阶段推进，目标明确
俄罗斯的光刻机开发计划将分为三个阶段逐步实施。第一阶段将集中力量进行基础研究，确定关键技术，并测试初始组件。第二阶段则旨在打造出一个能够每小时处理60片200毫米晶圆的原型机，并将其集成到国内的芯片生产线中进行实际验证。第三阶段的目标是提供一个工厂就绪系统，该系统需具备每小时处理60片300毫米晶圆的能力。
值得注意的是，尽管计划已经明确，但新光刻工具将支持的具体工艺技术以及各阶段的完成时间表尚未公布。这无疑增加了计划的不确定性，但也为未来的技术发展留下了更多的想象空间。
性能与成本之间的权衡
与ASML的EUV光刻系统相比，俄罗斯的光刻机在功率上会有所降低，由于其使用3.6千瓦的光源，预计产量将低约2.7倍。然而，Chkhalo认为，这种性能水平对于小规模生产而言已经足够，并且更低的制造和运营成本将使其在市场上具有独特的竞争力。
总的来说，俄罗斯的自研光刻机计划不仅是一项技术挑战，更是一次对全球半导体产业格局的潜在颠覆。虽然前路充满未知与困难，但若能成功，无疑将为全球芯片制造行业带来新的变革。
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