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成果介绍
将客体离子插入到层状材料的范德华（vdW）间隙中是创造新材料相和功能的有力途径。离子栅控是一种控制离子运动和结构的技术，可用于插层和表面静电掺杂。离子栅控技术的进步使原位探测离子扩散动力学、载流子掺杂和输运性质成为可能。
有鉴于此，近日，日本理化学研究所新型物质科学中心Yoshihiro Iwasa等对单晶MoS2的钾离子（K+）插层进行了原位电阻率和拉曼实验，并构建了温度-载流子密度相图。K+插层引起了从棱面体配位相到八面体配位相的结构转变，在八面体配位相中观察到各向异性的3D超导性和可能的电荷密度波态。本文的离子栅控对插层相提供了一个全面的认识，并证明了静电诱导的超导性与插层相中的超导性不同。
图文导读
图1.器件制造和插层过程。
图2.原位拉曼测量。
图3.插层MoS2的低温测量。
图4.K+插层MoS2的相图。
图5.K+插层MoS2超导的各向异性。
文献信息
Gate-Controlled Potassium Intercalation and Superconductivity in Molybdenum Disulfide
（Nano Lett., 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c04134）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c04134
信息来源：低维 昂维
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