产业技术综合研究所（产综研）计划在未来3至5年内建立一个以极端紫外线（EUV）曝光装置为核心的尖端半导体研发基地。美国英特尔公司将在EUV技术的制造工艺方面提供合作支持，预计总投资额将达到数百亿日元。该基地的建立旨在为日本国内的半导体制造设备和半导体材料厂商提供研发EUV相关技术的环境。
在新研发基地中，企业将通过支付使用费用，使用EUV曝光装置进行制造设备和材料的原型制作及测试。此次是日本研究机构首次引入EUV曝光装置，具体的基地位置将在未来进一步敲定。
通过在国内建立EUV曝光装置的研发环境，产综研希望推动日本在制造设备和材料领域的研究开发，这也是日本的强项之一。目前，海外的研究机构，如比利时的国际半导体研究机构imec，已经拥有EUV曝光装置并在推进相关研发。
EUV曝光装置是制造细微电路宽度的半导体所不可或缺的关键技术。在日本，Rapidus公司（总部位于东京都千代田区）计划在2024年于北海道千岁市的试验生产线中引入EUV曝光装置。未来，除了逻辑半导体之外，EUV曝光装置还将逐步应用于DRAM的量产，其应用领域正在不断扩大。对于半导体制造设备和材料厂商来说，提供适用于EUV曝光装置的产品将是确保竞争优势的关键。
