UGM精选 | VASP开发组成员披露未来版本更新方向

科技   2024-12-05 17:00   上海  

Materials Design主办的2024年度用户会现已完美落幕。小编精选了VASP制作组成员Dr. Martijn Marsman和Dr. Manuel Engel的报告VASP的当下与未来分享给各位。报告内含当前VASP功能概览和未来版本更新预期方向,讨论了机器学习力场、电声耦合、电子自能、能带重整化等大家关心的前沿问题。


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1

近似方法


VASP软件在求解薛定谔方程时,需要进行不同程度的近似。在VASP中可以实现以下近似方法,精确程度从上至下依次递增:

  • 密度泛函理论(DFT)

  • Hartree-Fock(HF)/ DFT-HF杂化泛函

  • 随机相位近似(RPA):绝热连接涨落耗散定理(ACFDT)和格林函数屏蔽库伦相互作用修正方法(GW)

  • Bethe-Salpeter方程(BSE)


考虑到DFT在一定程度上有所局限,对于某些体系,需要引入后面三种近似方法。


例如,CO分子吸附于过渡金属表面的体系,长久以来始终难以通过DFT框架下的PBE泛函精确描述,但RPA可以实现这一目标。如下图所示,RPA的计算结果(红线)给出了最接近实验结果(黄线)的结论,准确预测了CO的吸附位点与吸附能。




2

机器学习力场(MLFF)


自VASP 6.3版本起已经实现了MLFF功能,且在后续更新的版本中不断优化使用体验。



Martijn Marsman透露:考虑到众多用户的需求,未来有望在VASP的版本更新中加入对其他描述符(例如SOAP)、其他软件(例如LAMMPS)、其他机器学习算法(例如NN)的支持。



3

电声耦合


声子是晶体中晶体结构集体激发的准粒子,是晶格振动的体现,与电子之间的相互作用称为电声耦合,在半导体、太阳能电池、超导材料等领域研究中起到了重要的作用。VASP能够基于超胞的有限原子位移方法进行快速、准确的电声耦合计算。




4

电子自能和能带重整化


在固体物理学中,电子自能(SE)可以理解为电子与晶格振动(即声子)之间相互作用导致的能量变化。该数值受温度影响发生变化,可基于微扰理论进行计算。电声耦合还导致了能带的重整化,这部分变化主要体现在SE的实部中。考虑电子自能校正的DFT计算得到的能带与原始的DFT计算结果之间大约有10%的差距。



在绝对零度下SE的影响称为零点重整化(ZPR)。对于极性材料,例如下图中的LiF,矩阵中的长程(LR)项作用反映了偶极相互作用,需要加以考虑。



与SE相关的性质包括:

  • 能带和带隙重整

  • 电子寿命/线宽

  • 电子输运性质(例如电子电导、电子迁移率、Peltier系数、Seebeck系数、电荷载流子对热导率的贡献)


Manuel Engel表示,VASP未来将优化已经实现的这一部分计算功能,并规划于后续版本增加声子自能和超导等性质的计算。



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