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Rapidus公司雄心勃勃地规划在日本工厂部署多达10台极紫外（EUV）光刻机，旨在自2027年起大规模生产2纳米级别的先进芯片。据Rapidus首席执行官Atsuyoshi Koike介绍，这些光刻机将被安装在IIM-1和IIM-2两大半导体生产基地。值得注意的是，2024年12月，首台针对日本市场的EUV光刻设备顺利抵达新千岁机场，这标志着Rapidus发展历程和日本半导体产业复兴的一个重要节点。
尽管Koike未具体透露EUV光刻机的安装时间表，但可以合理推测，IIM-1将率先迎来部分尖端光刻系统的入驻，而其余设备则会在稍后的时间于IIM-2安装到位。至于具体采用哪些型号的设备，尽管Rapidus未予公开，但鉴于其正考虑引入ASML的Twinscan NXE:3800E型号，IIM-1很可能率先使用这批高效工具。据悉，一台Twinscan NXE:3800E光刻机在理想状态下，每小时能处理多达220片晶圆（剂量为30mj/cm²），即每日可达5280片，但需注意的是，实际操作中设备需定期维护，因此持续满负荷运转并不现实。
关于Rapidus IIM-2的实际产能，仅凭安装设备数量难以精确估算。在3纳米工艺中，掩模层数量通常在100至120多层之间，具体依据设计复杂度而定，其中约20至25层为EUV层（这一数字因代工厂和设计而异）。假设Rapidus的2纳米工艺包含20个EUV层，那么在正常运行时间内，5台EUV设备在IIM-1每月大约能支持17,000至20,000片晶圆的生产，需强调的是，这仅为大致估算。
Rapidus公司已定于2025年4月在试验线IIM-1启动2纳米技术的试生产，并计划在同年6月向博通——一家专注于人工智能（AI）和通信处理器的合同开发商，且与谷歌、Meta等巨头合作——交付2纳米芯片样品。Rapidus的最终目标是于2027年在IIM-1正式开启2纳米产品的量产，而IIM-2工厂则将随后投入运营。
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