近期，我国两家碳化硅大企天岳先进、烁科晶体先后披露了最新一代12英寸SiC衬底。据多位行业人士表示，虽然可以明显看到12英寸SiC衬底需求较大，但是今年和明年仍处于8英寸碳化硅元年，预计12英寸SiC衬底小规模生产时间将落在2027年开始。
1
12月26日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。
近期行业最新消息显示，国内某项目建设环评公示平台公开了关于“中国电科（山西）碳化硅材料产业基地（二期）竣工环境保护验收”报告。
报告披露，烁科项目位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区)，厂房分两期建设。其中一期工程已于2024年5月完成验收；二期工厂在一期工程基础上扩建，在2023年8月进行备案，同年10月提交建设申请，目前也宣告完成验收。
据“山西转型综改示范区”报道，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地（二期）项目在2023年9月开始建设、同年11月主体封顶，今年3月份已进入机电与设备安装阶段，计划4月份开始试运行，建成后将新增6-8英寸碳化硅衬底年产能20万片。
具体来看，二期项目总投资5.2亿元，在中国电科（山西）碳化硅材料产业基地原有地块内新建碳化硅单晶生长车间、购置相关生产设备，并在预留区新增晶体生长设备。本项目购入半成品料后，按订单生产，二期扩建产能中部分直接外售，不进行进一步加工；订单要求进一步加工时，将进入（一期）现有车间进行加工。
二期项目建成后，可新增产能N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3 吨/年。
2
11月14日，天岳先进官微披露，2024德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）于11月12日正式开幕，天岳先进携全系列碳化硅（SiC）衬底产品亮相，并于11月13日发布了12英寸（300mm）N型碳化硅衬底产品，标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底时代。
据介绍，12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。天岳先进董事长宗艳民表示，对于所有SiC器件制造商而言，生产成本的主要压力在于从棒料（boules）切片形成衬底的缓慢增长率。我们希望通过扩大衬底尺寸，持续降低每单位面积的材料成本。
据悉，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年发布了8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
发现“分享”和“赞”了吗，戳我看看吧
