芯片巨头良率不足10%,遭大客户取消订单!

科技   2024-12-14 08:41   广东  


据 Wccftech 报道,英特尔 18A制程良率不足10%,这将导致该工艺无法进入批量生产阶段


不过芯片业的应该都知道,用百分比来衡量良品率其实并不准确毕竟大芯片良品率低,小芯片良品率高芯片真正的良率应该用缺陷密度D0来衡量。


即便如此,由于良率不足的问题,博通也取消了英特尔的订单,寻找可行的替代的供应商。对于现在的英特尔来说,无疑是雪上加霜



图源:路透社


英特尔对18A工艺一直基于厚望,之前还有报道称,英特尔已经取消了客户的20A制程,并将资源转移到18A制程。


18A制程也是继20A制程后,第二个RibbonFET全环绕栅极晶体管Power Via背面供电技术


与20A制程相比,18A制程优化了RibbonFET设计,提高了10%的性能功耗比


英特尔18A制程的首批产品是Clearwater Forest 服务器芯片Panther Lake CPU,接下来还有Diamond Rapids。另外微软和美国国防部也将使用该制程节点。


此前,英特尔预计,到2025年年中,内部和外部共有大概8款采用18A工艺的产品。由于良率过低,原定的计划大概率会被推迟。



图源:法新社


相比之下,台积电就顺利太多了。


虽然在“节点尺寸”上台积电稍微落后,但台积电N2制程的晶体管密度远胜英特尔的18A。


英特尔的18A工艺采用了高密度SRAM位单元,尺寸为0.021微平方米(从而实现约31.8Mb/mm²的SRAM密度),明显低于台积电的N2,与台积电的N3E和N5相当。


据悉,台积电的 2nm 工艺引入了一种新的晶体管结构 — 环绕栅极(GAA),GAA 晶体管通过垂直排列的水平纳米片,在四个侧面包围通道,而前代的鳍式场效应晶体管(FinFET)仅能覆盖三面。


GAA 晶体管具有更低的漏电率和更高的驱动电流,从而提升了性能。


图源:彭博社


目前,台积电的2nm 试产良率已达60%,并有望在明年量产时突破70%。


当然英特尔也不是孤单一人。据悉,三星的2nm工艺也在10-20%之间,和英特尔算是难兄难弟。


早在2022年,三星在生产骁龙 8 Gen 1 芯片时低良率,导致高通将订单转交台积电。此次英特尔良率低,高通寻找替代供应商,仿佛旧事重演。



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