美国再出击,发布HBM禁令,明年1月2日生效

科技   2024-11-27 08:02   广东  

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据路透社报道,美国商务部工业与安全局(BIS)已定于12月6日发布一项针对HBM(高宽带内存)的禁令,涵盖HBM2EHBM3HBM3E。该禁令于2025年1月2日生效


要知道 AI 和深度学习算法需要处理庞大的数据集,而 HBM 的高带宽和大容量特性使其成为最理想的内存解决方案。


限制中国获取HBM,可以限制中国发展大规模高性能计算的硬件能力,从而限制中国AI产业的发展。


图源:彭博社


当前,HBM市场呈现高度垄断的局面,主要由SK海力士、三星和美光这三大巨头掌控。


2023年,市场中主要应用的是HBM2、HBM2E和HBM3,下半年在英伟达H100和 AMD MI300 的推动下,HBM3渗透率提升。2024年 HBM3E 则成为主打,占比逾46%。


HBM需求主要集中在英伟达、AMD、谷歌等芯片大厂,其中英伟达是 HBM 市场的最大买家,所需 HBM 在全球占比 50%


国内厂商受成本、科技、海外贸易政策等因素影响,需求较小,占比约6%-7%。目前主流的国产AI加速大都处于 HBM2、HBM2E区间,比HBM3E版本落后两代,主要还是来源于三星和SK海力士。


图源:SK 海力士


HBM2是前几年的技术,带宽是最新代次HBM3E的1/4单颗最大容量大概1/5。这还没有加上集群的“代差”。本来AI 芯片就存在较大落差,加上HBM的“代差”,那么相对差距也将层级放大。


有专家分析,如果禁令实施,短期内将对中国AI 及高性能计算行业造成直接冲击,将迫使国内关联企业加速发展自主替代方案,但研发和量产压力巨大。


HBM生产需同时具备DRAM生产和先进封装工艺(核心工艺包括TSV、micro bumping和堆叠键合技术)的产业化能力。


国内部分企业虽有一定的DRAM和先进封装技术基础,但掌握的DRAM工艺制程明显落后于国际水平,且在DRAM上应用TSV、micro-bumping和堆叠键合等先进封装工艺的经验有所不足


长期来看,禁令可能刺激中国在先进存储器领域的研发投入,加快国产化步伐。


图源:SK海力士


当然HBM三大厂商也会遭受到不同程度的冲击。


据2023年数据显示,HBM市场,SK海力士占比53%、三星占比38%,美光占比9%


SK海力士将大部分HBM产能分配给了英伟达、AMD等巨头。美光身为美国企业,因出口管制无法向中国大陆供货。


三星抢占了大部分中国大陆的市场份额,如果禁令实施,三星受冲击最大


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