作为当下热门的第三代半导体技术，GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比，GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗，但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。
级联型D-mode GaN
E-mode GaN结构
按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型（D-mode）和常关的增强型（E-mode）。按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN应用场景和驱动电路设计痛点，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。
如针对电压型E-mode GaN驱动，纳芯微推出了直驱芯片方案NSD2621，其输出集成LDO可直接驱动GaN，相比传统阻容分压电路设计更简单，且不受工况限制！
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直播主题
GaN驱动设计痛点与纳芯微解决方案
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直播时间
12月4日19:30-20:30
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直播嘉宾
纳芯微技术市场工程师刘建栋
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直播福利
微信红包2000元、笔记本套装、50采购晶10份
