陕西科技大学 王卓 等:表面修饰AgNbO3纳米颗粒增强聚偏氟乙烯复合材料的介电性能和储能性能

科技   2024-10-29 17:30   中国  

  关注高电压技术,关注科学发展

Enhancing dielectric properties and energy storage performance of polyvinylidene fluoride composite by surface-modified AgNbO3 nanoparticles

(点击阅读原文)



题目:表面修饰AgNbO3纳米颗粒增强聚偏氟乙烯复合材料的介电性能和储能性能



作者:王卓,赵婷,吴丹,薛颖,易志辉,亢金腾,叶荣辉,郭宁



内容整理自《High Voltage》2024年第9卷第4期。



更多详情可进入《高电压技术》视频号进行观看哦~


01
研究背景

陶瓷填料/聚合物基复合材料由于其高介电常数与高击穿场强,可获得具有高储能密度的电介质材料,在电介质电容器领域有广泛的应用前景。然而,陶瓷填料和聚合物基体之间的物理和化学性质存在显著差异,导致陶瓷/聚合物复合材料中两相之间的相容性较差,产生较多缺陷。研究表明,羟基化、偶联剂、表面活性剂、磷酸等改性方式可以显著增强无机填料在聚合物中的分散性。同时提高两种材料之间的兼容性,并导致击穿场强提高,最终导致储能密度增大。本文对AgNbO3颗粒进行表面改性,研究不同表面改性剂对复合材料储能性能的影响。


02
主要内容

1)研究内容

本文以PVDF为基体,以AgNbO3颗粒为无机粉体,分别采用四种不同的表面改性剂,硅烷偶联剂(KH550、KH560)、多巴胺(DA)和接枝聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)对AgNbO3粉末进行表面改性,研究不同的表面改性剂对填料和基体之间相容性的影响。


2)研究结果

AgNbO3粉体表面改性后的TEM如图1所示,AgNbO3颗粒被硅烷偶联剂KH550、KH560、PMMA和DA均匀地包覆。


图1 AgNbO3颗粒的透射电子显微镜图像:(a)AgNbO3@KH550;(b)AgNbO3@KH560;(c)AgNbO3-g-PMMA;(d)AgNbO3@DA


图2为不同表面改性AgNbO3粉体制备的0.3 wt% AgNbO3/PVDF复合材料的介电常数和损耗随频率的变化图。AgNbO3@KH550/PVDF、AgNbO3@KH560/PVDF、AgNbO3-g-PMMA/PVDF和AgNbO3@DA/PVDF的εʹ逐渐减小,且相比于纯PVDF都有所提高,其中AgNbO3@KH550/PVDF复合材料的εʹ可达12.25。这是由于改性后的AgNbO3粉体表面存在的官能团和化学键增强了填料与基体间的界面极化,从而复合材料获得了更高的εʹ

图2 AgNbO3/PVDF复合材料(a)介电常数;(b)介电损耗与频率的关系


根据复合材料的UV曲线得到禁带宽度,AgNbO3@KH550/PVDF,AgNbO3‐g‐PMMA/PVDF,AgNbO3@KH560/PVDF、AgNbO3@DA/PVDF和纯PVDF的禁带宽度分别为2.42、2.27、2.26、1.98和1.85 eV。改性后的C-AN粉体与PVDF基体结合更加紧密,填料在PVDF中均匀分布,减少缺陷形成,阻止空间电荷传输,降低漏电流,从而提高Eb

图3 AgNbO3/PVDF复合材料:(a)UV曲线;(b)AgNbO3@KH550/PVDF复合材料的禁带宽度;(c)AgNbO3@KH560/PVDF禁带宽度;(d)AgNbO3‐g‐PMMA/PVDF复合材料的禁带宽度;(e)AgNbO3@DA/PVDF复合材料的禁带宽度;(f)纯PVDF的禁带宽度


图4(a)为复合材料的储能密度随电场增加的变化图,(b)为复合材料的储能密度和储能效率,其中AgNbO3@KH550/PVDF复合材料具有最大的储能密度为8.48 J/cm3

图4 AgNbO3/PVDF复合材料(a)储能密度和储能效率随电场变化;(b)储能密度与储能效率对比


在测试的表面改性剂中,KH550硅烷偶联剂的改性效果最好。这是由于硅烷偶联剂KH550水解生成硅醇,硅醇进行缩合并与AgNbO3颗粒表面的羟基作用,使KH550在AgNbO3颗粒表面形成包覆层,KH550中的氨基与PVDF基体形成氢键,从而使AgNbO3颗粒与PVDF结合的更加紧密。在AgNbO3颗粒表面接枝PMMA形成AN-g-PMMA核壳结构,因接枝过程较为复杂,因此对PMMA的接枝率有较大的影响。硅烷偶联剂KH560中的环氧基团与PVDF结合的能力较差,且KH560的链长较长会发生严重的缩合反应从而影响粉体的改性。多巴胺通过羟基和氨基将AgNbO3颗粒与PVDF结合,但多巴胺与AgNbO3颗粒和PVDF的结合能力较差。因此,AgNbO3@KH550/PVDF复合材料两相之间的最佳相容性,填料表现出均匀的表面电荷分布。在350 kV/mm的电场强度下,能量存储密度为8.48 J/cm3


03

结论


 本文以PVDF为基体,以AgNbO3颗粒为无机粉体,分别采用四种不同的表面改性剂,硅烷偶联剂(KH550、KH560)、多巴胺(DA)和接枝聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)对AgNbO3粉末进行表面改性。KH550硅烷偶联剂的改性效果最好,从而使AgNbO3颗粒与PVDF结合的更加紧密。AgNbO3@KH550/PVDF复合材料在350 kV/mm的电场强度下,能量存储密度为8.48 J/cm3





1.

文献信息

Zhuo Wang, Ting Zhao, Dan Wu, Ying Xue, Zhihui Yi, Jinteng Kang, Ronghui Ye, Ning Guo:Enhancing dielectric properties and energy storage performance of polyvinylidene fluoride composite by surface-modified AgNbO3 nanoparticles. High Voltage. 9(4), 939–947 (2024). 

2.

作者及团队介绍

王卓,工学博士,教授,博士研究生导师,陕西科技大学材料科学与工程学院副院长,陕西省“特支计划”青年拔尖人才、陕西省“青年科技新星”入选者,陕西省无机材料绿色制备与功能化重点实验室主任,中国硅酸盐学会溶胶-凝胶分会理事。研究方向为电介质材料、柔性储能复合材料、微波介质陶瓷等。陕西省电子信息功能材料与器件重点科技创新团队核心成员,陕西省“材料物理”教学团队核心成员。主持国家自然科学基金面上项目、中国博士后科学基金特别资助、陕西省重点研发计划等科研项目13项。在国内外著名学术期刊上共发表SCI收录科研论文68篇,授权国家发明专利16件。研究成果获得教育部高等学校优秀成果二等奖1项、陕西省科学技术奖二等奖2项、西安市科学技术进步奖一等奖2项。

赵婷,硕士研究生。2024年毕业于陕西科技大学,获材料科学与工程专业工学硕士学位。现任职于重庆鑫景特种玻璃有限公司。

郭宁,工学博士(后),副教授。任全国电气绝缘材料与绝缘系统评定标准化技术委员会委员。主要从事聚合物绝缘材料制备、表征、性能及应用研究。参与完成国家自然科学基金项目4项,主持完成技术开发项目3项。获黑龙江省科技进步二等奖、三等奖各一项。先后发表SCI论文20余篇,EI收录论文20余篇。授权发明专利2件。参与制修订国家标准10余项。





-[END]-
制作:郑泽昆
传播知识 · 分享成果 · 交流经验
热搜合集

#热文#热点报告#征稿启事#会议讯息#网络首发#论文精选

官网

wileyonlinelibrary.com/iet-hve

视频号

《高电压技术》《High Voltage》视频号


联系我们







高电压技术
推送《高电压技术》精选论文信息,传播高电压相关重要科研进展
 最新文章