在合同的第一阶段，Raytheon Advanced Technology 团队将开发金刚石和氮化铝半导体薄膜，并将其集成到电子设备上。第二阶段将侧重于优化和成熟金刚石和氮化铝技术到更大直径的晶圆上，用于传感器应用。
“这是向前迈出的重要一步，将再次彻底改变半导体技术，”Raytheon 先进技术总裁 Colin Whelan 说。“Raytheon 在为国防部系统开发类似材料（如砷化镓和氮化镓）方面拥有丰富的成熟经验。通过将开创性的历史和我们在先进微电子方面的专业知识相结合，我们将努力使这些材料成熟起来，迎接未来的应用。
与传统半导体技术相比，UWBGS 独特的材料特性具有多项优势，可实现高度紧凑的超高功率射频开关、限幅器和功率放大器。它们的高导热性还允许在更高的温度和更极端的环境中运行。
该团队的目标是率先开发这些材料，使其能够很好地适应现有和未来的雷达和通信系统，并具有扩展的能力和范围，包括协同传感、电子战、定向能以及高超音速等高速武器系统中的电路。该合同的工作正在该公司位于马萨诸塞州安多弗的工厂进行。
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