据报道，中国DRAM制造商长鑫存储和福建晋华正在积极扩大生产和降价。目前，与韩国制造商制造的类似芯片相比，这两家制造商以50%的折扣出售其DDR4组件，在某些情况下，这些DRAM甚至比二手内存芯片更便宜。
报告称，长鑫存储的产能从2022年的每月70,000个晶圆（WPM）激增到2024年的200,000个WPM。该公司的目标是将产量提高到每月30万个晶圆，并在未来几年占领全球DRAM市场11%。尽管受到美国政府的制裁，福建晋华也设法增加了DDR4的产量。
DDR4芯片供应过剩导致了激烈的价格竞争，中国制造商的价格比美光、三星和SK海力士低50%，甚至比二手存储芯片低5%。这种激进的定价正在推动DDR4市场的价格下跌，尤其影响了消费者细分市场。然而，工业客户对采用中国DRAM仍然持谨慎态度。
针对这种强烈的价格压力，韩国DRAM公司正在减少DDR4的产量，转而使用DDR5和HBM3内存——中国供应商现在无法大规模生产的内存芯片。此举旨在保持盈利能力，并抵消中国制造商目前在DDR4领域拥有的成本竞争优势。向DDR5和HBM3的转变预计将通过解决供应过剩问题并将资源重定向到更先进的高需求内存技术来稳定DRAM市场。
我国通过补贴和国家政策积极支持DRAM的扩张，促进了国内产量的激增。这种支持使中国制造商能够提供极具竞争力的价格，更专注于在当地和国际市场上建立主导地位。
