杭电 Nature Communications | GHz高频软磁材料助力电子器件小型化

文摘   科学   2024-10-31 10:20   浙江  

研究背景

随着电子器件的小型化和集成化,对高频软磁材料的需求日益增长。传统的软磁铁氧体虽然频率稳定性好,但饱和磁化强度低且温度稳定性差,不适用于集成电路。如何制备兼具高频稳定性和高饱和磁化强度的软磁材料,成为一个亟待解决的难题。

研究方法

该研究采用冷烧结技术制备了一种具有磁涡旋结构的软磁复合材料。该方法将超细 FeSiAl 颗粒通过 Al₂SiO₅/SiO₂/Fe₂(MoO₄)₃ 多层异质结构进行磁隔离和共价键合。为了研究复合材料的微观结构和磁畴结构,研究人员采用了多种表征手段,包括 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和洛伦兹透射电子显微镜 (L-TEM)。  

研究亮点

  • 超高频稳定性: 该材料的磁导率高达13,并在高达1 GHz的频率范围内保持稳定。

  • 高饱和磁化强度: 复合材料的饱和磁化强度高达 105 Am²/kg。

  • 高机械强度: 复合材料的极限抗压强度高达 337.1 MPa。

研究意义

  • 揭示磁涡旋特性: 加深了对磁涡旋结构高频特性的理解。

  • 设计新型磁器件: 为设计新型集成磁器件提供了新的思路和方法。

  • 应用前景广阔: 在高频电感器、射频振荡器和自旋电子器件等领域具有广阔的应用前景

图1. FeSiAl颗粒的畴结构和静态磁性能。Al₂SiO₅/SiO₂/Fe₂(MoO₄)₃多层异质结构作为磁隔离层,有效地降低了复合材料的矫顽力。磁隔离的涡旋结构促进了磁化旋转过程,有助于提高复合材料的频率稳定性。

图2. 界面第一性原理研究。a. (110)FeSiAl/(022)Al₂SiO₅界面的STEM图像和晶体结构。b. 界面的三维电荷密度差。c. FeSiAl、Al₂SiO₅和界面的PDOS(态密度)。d. 界面的二维电荷密度差。

作者

项工作的第一作者是杭州电子科技大学的白国华教授。杭州电子科技大学的张雪峰教授是该论文的通讯作者

引文格式

G. Bai, J. Sun, Z. Zhang, X. Liu, S. Bandaru, W. Liu, Z. Li, H. Li, N. Wang, X. Zhang, Vortex-based soft magnetic composite with ultrastable permeability up to gigahertz frequencies, Nature Communications 15(1) (2024) 2238. https://doi.org/10.1038/s41467-024-46650-9


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