继上月末国内首条光子芯片中试线在无锡市滨湖区正式启用之后,光芯片领域再传一重磅利好消息——九峰山实验室实现异质集成“芯片出光”!
随着AI和半导体行业的持续升温,光芯片已成为热门焦点。
在此前不久的Hotchips芯片盛会上,光芯片互联技术亦备受瞩目,“领头羊”中不乏特斯拉、博通、openAI和英特尔等大厂的身影。这些厂商的积极布局,让不少人嗅到了光芯片互联爆发前夕的味道。但其实在不少人看来,这还为时过早。
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突破光芯片异质集成“无人区”
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国内光芯片领域突破进展频频
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今年年初,清华团队就发布了 AI 光芯片 “太极-Ⅱ” 和 “太极-I”,彰显了我国高校在前沿科技领域的强大研发实力。
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与此同时,我国中科院也不甘示弱,成功开发出可批量制造的新型 “光学硅” 芯片,为光芯片的大规模应用奠定了坚实基础。
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今年7月,中国科学院宣布成功开发出一种新型光学卷积处理器。该处理器采用了创新的波分复用和光多模干涉技术,实现了高达12.74 T MACs/s/mm²的算力密度。这一成果使得新研制的光子芯片在运行速度上,相较于英伟达的A100芯片,有1.5-10倍的提升。
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同月,国内光计算芯片行业的领军企业——光本位科技,也宣布其首款光计算芯片成功完成流片,其算力密度和精度均达到了商业应用的标准,峰值算力超过了1000Tops。这不仅展示了中国在光子芯片技术领域的领先地位,也对传统电子芯片的优势地位构成了挑战。
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9月25日,在2024集成电路(无锡)创新发展大会上,由上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线在无锡市滨湖区正式启用。据悉,该中试平台总面积17000平方米,集科研、生产、服务于一体,配备了超100台国际顶级CMOS工艺设备,覆盖了薄膜铌酸锂光子芯片从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。平台还兼顾硅、氮化硅等其他材料体系,搭建了N个特色工艺平台,形成“1+N”先进光子器件创新平台。
据介绍,该中试线正式启用后,预计年产能达10000片晶圆,2025年第一季度将正式发布PDK,提供对外流片服务。下阶段,上海交通大学无锡光子芯片研究院将基于6/8寸薄膜铌酸锂晶圆,以薄膜铌酸锂调制器为核心,攻克薄膜铌酸锂光子芯片产业化面临的工程技术难题,开发晶圆级芯片量产工艺,实现薄膜铌酸锂光子芯片规模量产,满足人工智能发展等大算力需求。
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