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中国国家集成电路产业投资基金（大基金）第三期正式启动，总投资额达1600亿元（约219亿美元），正值十四五规划收官之年。
该基金2024年12月31日正式启动，彰显了中国推动关键半导体进步和解决关键技术难题的决心。
随着特朗普上任，包括301调查在内的针对中国先进成熟半导体技术的新举措不断涌现，这些都预示着地缘政治紧张局势加剧，促使中国加强持久战的准备，而强有力的资本支持将起到决定性的作用。
大基金三期2024年5月24日正式成立，注册资本达3440亿元，超过前两期总和，是中国实现半导体自主化的关键一步。
随着第一阶段和第二阶段进入投资回报期，第三阶段的新资本将为中国未来10到15年的半导体目标提供支持，重点关注战略性技术进步。
第三阶段投资重点包括人工智能计算芯片、光刻技术以实现半导体设备生产的国产化以及提高NAND闪存和DRAM内存的产能。
额外的资金将推动HBM开发的研究。
三期已募集资金逾千亿元，用于两只股权投资基金，其中，与国芯资本共同发起设立的华信鼎信（北京）股权投资基金募集资金930.93亿元，用于股权投资及管理服务；国投基信（北京）股权投资基金募集资金710.71亿元，用于战略投资。
第三阶段投资期限由前几阶段的10年延长至15年。
这一转变反映了中国致力于在关键半导体技术上取得长期突破的决心。
2025年是十四五规划的结束，在美国对先进半导体工艺的限制下，中国面临着越来越大的挑战。
关键问题依然存在，进展能否超越7纳米技术？先进封装和3D芯片开发的突破能否实现并塑造下一个五年规划？
展望未来，业内预测，中国将在未来五年加大对关键半导体设备和材料的国产化力度。
国家政策、补贴和股权投资将瞄准光刻机、大硅片和关键零部件等瓶颈领域，以增强供应链弹性并减少对进口的依赖。
