杂原子掺杂ZnO电子注入层（EIL）被广泛应用于高性能量子点和钙钛矿发光二极管（PeLEDs）的制备，而va族原子掺杂剂的研究较少。
在这里，北京大学Yongqiang Ji、长三角光电科学研究院Jiang Wu及利亚德光电有限公司Changjun Lu等人将具有强金属性的VA铋（Bi）作为替代掺杂剂来调节ZnO前驱体的胶体大小，表面末端和缺陷密度。作为制备的bi掺杂ZnO (ZnBiO) EIL显示了增强的电导率，钝化的陷阱状态，更多的n型性质，以及与FAPbI3 （FA: formamidinium）的适当带对齐，有助于平滑的注入路径和最小的传输损失。
通过抑制ZnBiO的羟基终止，FAPbI3晶体生长成具有更高结晶度和面积厚度比的扁平纳米柱结构域，获得了22.3%的最高PeLED效率，684 W sr−1 m−2的高近红外辐射，以及近一个数量级的运行稳定性，这显示了ZnBiO作为经典ZnMgO之外的各种LED应用场景的最佳EIL的巨大前景。
X. Yang, Y. Ji, Q. Li, Q. Zhong, H. Li, Z. Lu, H.-H. Chen, Y. Wang, A. Hu, S. Li, L. Ma, L. Li, Y. Zhang, Y. Chen, L. Zhao, J. Wu, X. Wang, C. Lu, R. Zhu, Group-VA Doped ZnO Injection Layer for Bright and Efficient Perovskite Light-Emitting Diodes. Adv. Funct. Mater. 2024, 2413517.
https://doi.org/10.1002/adfm.202413517
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