北京大学朱瑞等人AM:7.64%红外微 PeLED用于钙钛矿微光电子学的横向相异质结

文摘   2024-11-07 08:34   陕西  

钙钛矿异质结工程是制造微光电器件的先决条件,但仍然是一个缺陷,目前的自上而下或自下而上的技术主要集中在制备垂直异质结堆栈。钙钛矿横向异质结结构一般依赖于外延生长,无法满足微器件大规模生产的需求。
在这里,北京大学Xiaoyu Yang,王新强和朱瑞等人提出了一种接触扩散光刻技术,通过离子驱动的局部相变来展示钙钛矿侧相异质结 (LPH) 多晶膜。在热力学模拟的指导下,甲胺接触和迁移共同促进了被δ相多晶型物包围的α相甲脒基钙钛矿图案的原位形成。α相和δ相之间的自发 I 型异质结对准在 LPH 膜中建立了能量漏斗,以促进载流子利用和辐射复合。宽带隙 δ 相还用作共面隔离器,以实现器件集成的局部防泄漏。
基于明亮稳定的 LPH 图形层,遵循常规器件制造协议,实现了具有令人印象深刻的器件性能的近红外微尺度钙钛矿发光二极管 (micro-PeLED)。所提出的 LPH 丰富了钙钛矿异质结家族,创建了一个新的光电加工平台,并推进了其在微光电子学和光子学中的多功能应用。

L. Li, H. Yan, S. Li, H. Xu, D. Qu, A. Hu, L. Ma, Y. Ji, Q. Zhong, L. Zhao, F. Xu, Y. Tu, T. Song, J. Wu, M. Li, C. Lu, X. Yang, H. Zhong, Q. Gong, X. Wang, R. Zhu, Lateral Phase Heterojunction for Perovskite Microoptoelectronics. Adv. Mater. 2024, 2409201.

https://doi.org/10.1002/adma.202409201


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