Intel D2164 是一款 64kBit DRAM。“20”变体提供 200ns 的最大访问时间。变体“15”指定的最大访问时间为 150ns。
Intel 的应用说明 AP-131 包含大量有关 D2164 的信息。64kBit 分为四个区域，每个区域有 128 x 128 个存储单元。这些单元通过两个八地址位进行寻址。前七个地址位激活上部区域和下部区域中的各一条线。第二个七个地址位选择左右块中的列。D2164 最初提供四个存储单元的内容。第八个地址位也被读取两次，它选择一个存储单元，然后将其输出。数据以同样的方式写入。
芯片尺寸为 6.9mm x 3.7mm。D2164 基于 NMOS 工艺 HMOS-D III。存储区域的四部分划分清晰可见。
该设计可以追溯到 1981 年。型号 2164A 末尾的 A 可以代表第一次修订。
Note AP-131 申请声称 D2164 是第一款商业化生产的包含备用单元的 RAM。四个区域中的每一个都包含两个额外的列和两个额外的行，可以替换有缺陷的存储单元，从而显着提高产量。
存储单元的分配位于芯片的右侧区域。那里集成了三个测试点。该电路与U2164非常相似 。
该应用笔记更详细地描述了用于选择保留行和保留列的电路。每个保险丝位于所谓的“编程元件”中，该元件的输出端有两个晶体管。如果保险丝完好无损，则下部晶体管处于活动状态。如果切断保险丝，上方的晶体管就会激活。Vg 和 Vdp 必须通过测试焊盘提供。应用笔记中没有对第三个测试垫进行更详细的描述。在芯片上，您可以看到触发保险丝的电流可以流过它。英特尔尚未透露如何选择各个保险丝。根据电路图，寻址是通过四根线完成的。在芯片上，您可以看到普通地址线用于选择保险丝。这至少看起来合乎逻辑。
上图显示了保留线如何包含在地址范围中。首先，您必须触发“备用行启用”保险丝。然后，相关的保留线在某个线地址处变为活动状态。熔丝的配置决定了将哪个地址分配给保留线。为此，每个可编程元件传递其地址位或反转的地址位。
这解释了保险丝的数量。左侧区域有 32 个保险丝，右侧区域有 36 个保险丝。如有必要，4 个保险丝会激活两个保留行和两个保留列。使用 4 x 8 熔丝，您可以为每个保留行和保留列分配一个地址。
与所描述的电路并行，逻辑确保只要保留行有效，正常行选择就保持无效。
