![]()
Atmel ATtiny841 的工作电源电压为 5V，频率高达 16MHz。该微控制器包含8kB闪存、512B EEPROM和512B SRAM。带有 4kB 闪存的变体以 ATtiny441 的名称出售。![]()
ATtiny841 提供 12 个输入/输出。它有1个8位和2个16位计数器。模拟信号可以用两个比较器和一个 10 位 ADC 进行处理。![]()
ATtiny841 中模具的边缘长度为 2.0mm。
![]()
该设计显然可以追溯到 2012 年。AT 354A5 很可能是内部项目名称。右侧区域显示十个面具。修订版以字母 C 开头，与数据表中描述的修订版相匹配。与 ATtiny10相比，这里还多了一个mask 20，也许这是为了集成EEPROM而需要的。![]()
如果去掉金属层和多晶硅层，各种功能块集成的位置就会变得更加清晰。正如预期的那样，大存储区域位于坚固的金属表面下方。右下角同样较大的方形区域包含 SRAM。在 SRAM 的左侧，您可以看到 ATtiny10中也有的方形结构。它包含用于配置输入和输出、定时器、ADC 和类似功能的寄存器。ATtiny10和ATtiny841之间的关系在很多其他地方也可以清晰地看到。 ![]()
闪存的结构与ATtiny10 相同，只是更大。与 ATtiny10 相比，ATtiny841 还具有 EEPROM。EEPROM 位于闪存上方，视觉上清晰可见。尺寸比率说明了为什么只有少量 EEPROM 集成到微控制器中。8kB 的闪存比 512B 的 EEPROM 大十六倍。然而，存储单元所需的空间仅为其八倍。在存储区域周围可以看到选择和评估电路。电荷泵的电容器需要更高的电压才能写入存储单元，似乎集成在图片的左边缘。![]()
闪存和 EEPROM 存储单元仅在细节上略有不同。在这个级别上，两种类型的存储工作方式非常相似。然而，在闪存中，存储单元只能成组写入。EEPROM由132*32单元组成。除了可自由使用的内存外，它还包含可用于锁定位或类似位的 128 位。闪存有130*512个存储单元。1024 位有一个特殊的功能。![]()
Ref:Richi´s Lab，备份，机器翻译，凑合看，欢迎关注大/中/小/AI公众号，与您分享有趣的芯片世界！
