广东工业大学阎秋生教授团队提出一种浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光方法，一方面提高了化学抛光液的利用率，另一方面通过介电泳诱导磨料更新利用，提高了抛光效果。介电泳效应化学机械抛光是一种多物理场混合的材料去除过程，在介电泳辅助蓝宝石化学机械抛光中，需结合CMP的影响因素和介电泳效应的影响因素综合考虑。通过铣床上搭建的浸没式介电泳辅助化学机械抛光实验装置，探索接入电压、工件及抛光盘转速、偏摆移动速度、抛光时间和抛光垫类型等工艺参数对蓝宝石晶片的材料去除率MRR、表面粗糙度Ra以及表面形貌的影响规律，研究分析介电泳辅助化学机械抛光对蓝宝石晶片的适应性。
关键词：介电泳效应；化学机械抛光；蓝宝石晶片；工艺参数；抛光垫；有效磨料数；加工效果
该文章发表在《表面技术》第53卷第18期。
引文格式：黄展亮, 柏显亭, 潘继生, 等. 工艺参数对浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光蓝宝石晶片的影响[J]. 表面技术, 2024, 53(18): 144-155.
HUANG Zhanliang, BAI Xianting, PAN Jisheng et al. Influence of Process Parameters on Immersed CMP Assisted by DC Dielectrophoresis of Sapphire Wafers[J]. Surface Technology, 2024, 53(18): 144-155.
DOI：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2024.18.012
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审核|汪 潇
编辑|邓李旸
