关键词：金刚石；氮化镓；Ti/Ag中间层；室温键合；金属间化合物
本文采用Ti/Ag中间层，开展了多晶金刚石与GaN的键合技术研究。借助Ti/Ag中间层进行键合，对晶圆表面的粗糙度具有较高容忍度，且在常温下即能实现良好键合，室温键合率达到95.5%。通过拉伸强度测试，键合强度达到13.7 MPa。Ag纳米颗粒高的表面活性是实现键合界面常温融合的关键，加上Ti/Ag梯度层的作用，以及Ti与Ag之间通过扩散反应形成的金属间化合物，则是提高金刚石与GaN键合强度的关键因素。
该文章发表在《表面技术》第53卷第18期。
引文格式：乔冠中，李淑同，王越, 等. 利用 Ti/Ag 中间层实现金刚石与 GaN 的室温键合[J]. 表面技术, 2024, 53(18): 175-182.
QIAO Guanzhong, LI Shutong, WANG Yue, et al. Room Temperature Bonding of Diamond and GaN with Ti/Ag Intermediate Layer[J]. Surface Technology, 2024, 53(18): 175-182.
DOI：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2024.18.015
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审核|汪 潇
编辑|邓李旸
