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科技 2025-01-03 17:35 上海

Photolithography and Related Technologies, Process Standards, and Future Outlook
光刻的相关技术、工艺、标准与未来展望
Date: 13:30-15:00 on March 25, 2025

Speaker:
Prof. Qiang Wu
Professor of the School of Microelectronics of Fudan University

Abstract:

This tutorial will provide the audience with an overall introduction to the photolithography process, related equipment, material, and process standards and future outlook. For the process and related equipment and material, I will present the following: a brief history of optical science and technology, the basic imaging theory, process window parameters and optimization, Source-Mask co-Optimization (SMO), exposure tools, photoresists, photomasks, computational lithography algorithms, the optical proximity correction (OPC), and the EUV lithography. For the part of the process standards, I will discusson the standards for linewdith uniformity, process window parameters, and resolution limit of EUV. Finally, an outlook will be provided from the author's perspective.

Biography:

Dr. Qiang Wu is a Professor at Fudan University. He graduated from Yale University with a Ph.D. degree in 1999. Then he worked for several companies as a photo engineers and managers. His research interests includes lithography process, equipment/material development, computational lithography, etc. He has published 83 papers and 112 patents.

Advanced Package and 3DIC (Chiplets and HBM) 先进封装与3DIC（Chiplets与HBM） Date: 15:30-17:00 on March 25, 2025
	Speaker: Dr. Guorong Li Vice President, Beijing NAURA Technology Group Co., Ltd.

Abstract: Currently, as Moore's Law progresses towards its limit, advanced packaging technologies such as TSV (Through Silicon Via) as a representative of 2.5D & 3D packaging have become an important way for chip higher integration. Etching process is the key and difficult point in the entire advanced packaging technology. The main difficulties are the morphology control of high aspect ratio (AR greater than 30:1) etching, such as sidewall roughness, lateral side etch control of the stopper layer, and edge inclination control. The other difficult point is the etching technology for the backside leakage of TSV after Cu filling. It involves the challenges of particle pollution control, cost control, and mass production stability. After years of technological exploration and development, NAURA has already achieved stable mass production of TSV process, backside Cu leakage process, and other multi-step etching processes for several customers. Biography: Dr. Li Guorong graduated from the Electronics and Information major at Peking University. He is currently the Vice president of Etch I BU and in charge of the 12-inch Etching Product Line at NAURA Co., Ltd., with over ten years of experience in the semiconductor etching equipment field. He is an expert in developing front-end and packaging process and equipment solutions, and has rich experience in the development and mass production of ICP and CCP etching equipment.

SEMI U TUTORIAL

Date & Venue

Tuesday, March 25, 2025

Shanghai International Convention Center
上海国际会议中心
上海浦东滨江大道2727号
No.2727 Riverside Avenue Pudong, Shanghai 200120, China

SEMI U TUTORIAL

Registration (RMB)

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● 超百位世界领先的行业及学术专家汇聚一堂，内容涵盖IC设计、半导体器件与集成、纳米薄膜、光刻、蚀刻、CMP、封装测试、AI与IC制造等各项前沿技术。
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Conference Questions:
April Peng, SEMI China
Email:apeng@semichina.org

Cheryl Qiu, SEMI China
Tel: 21.86.6027.8552
Email: cheryl.qiu@semichina.org

Sponsorship Contact:
Xianbo Sun, SEMI China
Tel: 21.86.6027.8569
Email: xsun@semi.org

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