三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

科技   2024-12-25 17:53   上海  

据韩媒报道,三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级(1d)的第七代DRAM测试线。

报道称,测试产线是测试新半导体产品量产潜质的设施,一旦下一代芯片性能在研发阶段时确定,就会在此引进晶圆,开始提高量产良率。目前还不确定三星平泽10nm级第七代DRAM厂房的规模,但通常安装测试产线每月可处理约1万片晶圆。

据了解,三星曾在今年3月宣布,计划在2026年前量产第七代DRAM,至于其前身第六代(1c)DRAM,计划明年(2025年)量产。因此,这条第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。

三星计划2025年初开始,以平泽P4厂为中心引进半导体设备,生产10nm级第六代DRAM,并加快良率提升的脚步,目标是明年5月前取得内部量产认证(PRA)。此外,三星还将DRAM相关人员从华城厂调派至平泽厂,以确保第六代DRAM顺利量产。


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