Buck电路的损耗，主要发生在功率路径上，也就是较大电流通过的器件上：MOSFET、电感、二极管（非同步控制器）。
根据Buck电路的几个工作阶段，我们分别讨论MOSFET的损耗
第一个阶段：上管打开的过程：
在开关过程中产生的损耗，MOSFET处于放大区，下管关闭几乎没有电流。
在上管打开过程中，上管的电压Vds不断减小，电流Ids不断增加。我们简单的可以认为是线性增减。此时输出电流处于谷底，最小值。如果近似的看成是电流平均值即输出电流值，则可以简单计算如下：
如果需要考虑电流纹波，则计算公式如下：
第二个阶段：上管完全导通、下管关闭。
上管MOSFET处于打开状态，上MOSFET等效于一个电阻即为MOSFET的导通阻抗Rds（on），Rds（on）上面流经电流的损耗。此时，下管没有电流，功耗全部集中在上管上。
打开的时间是由占空比决定的：上管打开的时间约等于T*D。
电流近似计算时，可以看作就是Buck电源的输出电流。如果细算起来，就需要考虑在上管打开过程中，电流是逐步变大的，我们需要对这个电流增大的过程进行积分计算，考虑到电流逐步变大的过程。
如果电流纹波足够小，我们可以近似认为上管打开过程电流没变化。则这个计算非常容易，就是直接计算，就可以：
如果纹波带来的影响不可忽略，则我们需要进行积分运算。我们从开始开启的电流进行积分，即最小电流处，积分到最大电流处。此处运用牛顿-莱布尼兹公式，计算定积分。
第三个阶段，上管关闭的过程
上管打开的过程和关闭的过程是类似的计算方法，此处只是电流为整个周期的最大值，因为经历了一个充电的过程，电流此时处于峰值。另外就是上管关闭的时间，会与上管打开的时间不一样。我们计算公式如下：
第四个阶段，此时上管已经完全关闭，下管暂时还没有打开，称为死区时间
我们需要理解，任何控制器都需要控制避免上下管同时打开，如果出现这个状态，则非常可能烧管，因为相当于通过上下管把输入电源和GND进行了短路。
为了避免这种状态，只好在上管关闭之后，等待一个时间段，再对下管进行打开的操作。而在两个MOSFET都关闭的状态，我们就称为死区时间。这个时间，主要依赖下管的寄生二极管进行续流，实现输出电流的一个回路。
此时的功耗，就是下管的寄生二极管的功耗，也就是二极管的正向导通压降乘以此时的电流。在开关开关的过程中，会有两个阶段经历死区时间，所以下管的死区时间功耗计算公式如下：
第五阶段，下管导通
导通功耗，因为很显然下管的功耗是在电流通过MOS的DS沟道之间的电阻（rDS(ON)）产生的。下面公式可估算下MOS管的导通功耗。
下管的导通损耗，近似的可以看作是：
如果考虑纹波，可以用以下公式进行计算：
磁芯损耗主要由三种构成，磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗。
磁滞损耗如何理解呢？
磁滞损耗源于每个交流周期中磁芯偶极子的重新排列所消耗的功率，可以将其看作磁场极性变化时偶极子相互摩擦产生的“摩擦”损耗，正比于频率和磁通密度。
磁芯在外磁场的作用下，材料中的一部分与外磁场方向相差不大的磁畴发生了‘弹性’转动，这就是说当外磁场去掉时，磁畴仍能恢复原来的方向；而另一部分磁畴要克服磁畴壁的摩擦发生刚性转动，即当外磁场去除时，磁畴仍保持磁化方向。因此磁化时，送到磁场的能量包含两部分：前者转为势能，即去掉外磁化电流时，磁场能量可以返回电路；而后者变为克服摩擦使磁芯发热消耗掉，这就是磁滞损耗。
上图为典型的磁滞曲线，从前面磁滞损耗的理解来看。剩磁Br越小，那么磁畴的刚性转动越少，损耗就越小。或者说磁滞损耗正比于磁滞回线包围的面积。
涡流损耗则是磁芯中的时变磁通量引入的。由法拉第定律可知：交变磁通产生交变电压。因此，这个交变电压会产生局部电流，在磁芯电阻上产生I2R 损耗。
如下图，根据电磁感应定律，通电线圈产生磁场B，如果电流是交变的，那么产生的磁场B也是变化的。变化的磁场在磁芯上面产生电场e，并且这个电场是环形电场。因为磁芯材料的电阻率一般不是无限大的，会有一定的电阻值，那么感生出的环形电场会使磁芯中形成环形电流。电流流过电阻，就会发热，产生损耗，这就是涡流损耗。
剩余损耗
剩余损耗的来源，是因为磁芯在磁化过程中，磁化状态并不是随磁化强度的变化立即变化到它的最终状态，而是需要一个过程，需要一定的时间，这便是引起剩余损耗的原因。
剩余损耗是由于磁化弛豫效应或磁性滞后效应引起的损耗。所谓弛豫是指在磁化或反磁化的过程中，磁化状态并不是随磁化强度的变化而立即变化到它的最终状态，而是需要一个过程，这个‘时间效应’便是引起剩余损耗的原因。它主要是在高频1MHz以上一些驰豫损耗和旋磁共振等，在开关电源几百KHz的电力电子场合剩余损耗比例非常低，可以近似忽略。
选择合适的磁芯，要考虑不同的B-H曲线和频率特性，因为B-H曲线决定了电感的高频损耗，饱和曲线及电感量。因为涡流一方面引起电阻损耗，导致磁材料发热，并引起激磁电流加大，另一方面减少磁芯有效导磁面积。所以尽量选择电阻率高的磁性材料或采用碾轧成带料的形式以减少涡流损耗。因此，铂科新材料NPH-L适用于更高频率、高功率器件的低损耗金属粉芯。如图所示：
磁芯损耗是磁芯材料内交替磁场引致的结果。某一种材料所产生的损耗，是操作频率与总磁通摆幅(ΔB)的函数，从而降低了有效传导损耗。磁芯损耗是由磁芯材料的磁滞、涡流和剩余损耗引起的。所以，磁芯损耗是磁滞损耗、涡流损耗和剩磁损耗的总和。公式如下：
在一个世纪以前Steinmetz 总结出一个实用于工程计算磁芯损耗的经验公式：
这个公式表明单位体积的损耗Pv 是重复磁化频率和磁通密度的指数函数。Cm ，α 和β 是经验参数，两个指数都可以不为整数，一般的1<α<3 和 2<β<3。对于不同的材质，生产厂家一般会给出其相应的一套参数，但公式和参数仅仅适用于正弦的磁化情况，这是该经验公式应用于开关电源领域的一个主要缺陷。
有些厂家给出的计算公式，主要计算磁滞损耗，剩余损耗和涡流损耗都忽略了。如上图所示：
根据磁芯厂家提供的计算公式计算磁损。
借助 Steinmetz 模型计算磁损在工程上的应用十分广泛，然而该模型的参数随频率变化，也就是说用来反映频率和最大磁感应强度与磁损关系的幂指数α 和β 的拟合值在不同频率时是不同的，同时温度对磁芯损耗的影响也很大。
飞利浦公司的3F3 材料单位体积损耗和温度的关系。既然磁芯损耗随温度的变化而变化，那么计算公式就应该考虑温度的影响。但式(2)中没有明显体现温度影响的参数。为此，一些产商在Steinmetz 经验公式的基础上进行改进，把温度和频率的影响包括在一个更加通用的公式中，比如下式就是飞利浦公司提出的计算正弦波下的单位体积的磁芯损耗公式（W/m3）。
其中：
式(3)中参数Cm、α、β 反映了频率对磁芯损耗的影响。而参数ct0、ct1、ct2,和T 体现了温度的影响，温度的总体影响用参数CT 来表示。表1 为飞利浦公司提供的材料的相应参数。应用式(3)和(4) ，Steinmetz 经验公式(2)可以用来计算正弦波励磁时，不同频率和温度下磁芯材料的单位体积损耗。
表1 飞利浦公司常用磁材料的单位体积损耗(W/m^3)的参数列表
电感磁芯产生损耗的原因：贴片电感磁芯的损耗主要来源于磁芯损耗和线圈损耗两个方面，而且这两个方面的损耗量的大小又需要根据其不同电路模式来进行判断。其中，磁芯损耗主要是因为磁芯材料内交替磁场而产生的，它所产生的损耗是操作频率与总磁通摆幅(ΔB)的函数，会大大降低了有效传导损耗。线圈损耗则是因为磁性能量变化所造成的能源耗损，它会在当功率电感电流下降时，降低磁场的强度。
电感磁芯降低损耗的方法：
1、电感磁芯中产生的磁芯损耗会随电感磁芯损耗上升而下降的容许铜线损耗，而且还会带来相同的电感磁芯材料通量激增。因此当开关频率上升至 500 kHz 以上，电感磁芯损耗和绕组交流损耗就可以极大地减少电感中的容许直流电流。
2、电感磁芯在线圈中的损耗主要表现在铜线损耗上，因此想要降低铜线损耗，必须要在电感磁芯损耗上升时降低，一直持续到各损耗均相等。最好的情况就是在高频率下损耗稳定保持相等，并允许从磁结构获得最大输出电流。
电源是怎样炼成的（2）能不能把开关电源滤“干净”，像线性电源一样
电源是怎样炼成的（4）开关电源的输出电容的容值不能太小，也不能太大！
电源是怎样炼成的（8）DC/DC电源PCB设计中，一定要把这个点设计好
电源是怎样炼成的（9）找到干扰源，分清干扰类型，解决干扰问题了
电源是怎样炼成的（14）宽压输入的集成MOS控制器为何多为非同步？
以上内容是《硬十 电源是怎样炼成的》这本书的补充内容，正在阅读、还没阅读、已经读完的朋友，都可以阅读以上内容。
系统学习《电源是怎样炼成的》，可以完整阅读硬十新书。
感兴趣的朋友可以扫码看一看！
