电子设备在高温环境下挂死（失去响应或崩溃），可能由多种原因引起，通常涉及热量对电子元器件性能的影响以及热管理问题。以下是一些常见的原因及分析：
1、芯片过热
CPU、GPU 等高性能芯片在高温下会触发热保护机制，降低频率甚至强制关机。需要优化处理器散热，或者降频使用。
高温下晶体管的特性恶化，导致信号时序错误或逻辑电路失效。
热引发的时序问题：高温下信号传播延迟变化，可能导致微控制器或存储器出错。
有些处理器会对高低温的DDR时序进行补偿，有的不会。我们碰过，有的原厂给的补偿方案错误，需要自己手动配置调整建立保持时间。
2、电容失效、或者容值降低
电解电容在高温下容易泄漏电解质，导致容量下降或失效。
陶瓷电容可能因热膨胀产生机械应力，导致损坏。
高温下和低温下一样，一些陶瓷电容的容值都会降低。
3、晶振漂移
晶体振荡器受高温影响，频率漂移导致设备时钟异常。
4.、电路保护机制触发
过热保护
一些元器件如稳压器或电源模块在温度超过保护阈值时会主动关闭。
过流或过压
高温导致元器件工作参数漂移，引发过流或过压保护。
5、电感热电流降额、温度降额不足
电感温度降额不足，意味着电感在实际工作中可能承受比其额定温度范围更高的温度，长期来看会对电感本身以及整个电路系统造成一系列影响，包括性能下降、可靠性降低，甚至导致系统性故障。
以下是具体分析：
5.1电感本身的影响
(1) 电感值漂移
高温会导致磁芯材料的磁导率变化，直接引起电感值漂移。
后果：影响电路的滤波特性、谐振频率或储能能力，例如开关电源输出纹波变大或稳定性下降。会引起用电器件死机。
(2) 磁芯损耗增加
磁芯损耗（包括磁滞损耗和涡流损耗）随温度升高显著增加，导致电感效率下降。
后果：发热量进一步增大，形成恶性循环，可能最终导致磁芯过热失效。
(3) 绕组电阻增加
高温会增加电感绕组的电阻（铜损），这会导致更高的功率损耗。
后果：电感效率降低，电路中的功率损耗增加，可能导致热管理不良。
(4) 材料老化
温度长期超出设计范围会加速材料老化：
漆包线：绝缘层劣化，可能引发短路。
磁芯：烧结磁芯可能发生裂纹或粉末磁芯的粘结剂退化，导致性能急剧下降。
5.2 对电路的影响
(1) 电源电路效率降低
在开关电源（如Buck、Boost、Flyback）中，电感是储能和转换能量的核心元件。如果电感性能下降：
后果：电源效率下降，输出电压波动增大，可能引发负载运行不稳定或触发保护机制。
(2) 电路可靠性降低
温度过高可能触发其他元件的热保护，甚至引发次生损坏：
功率开关元件：MOSFET或IGBT的工作条件变差，导通损耗增加。
电容：高纹波电流可能加速输出电容（尤其是电解电容）的老化。
(3) EMI问题加剧
电感饱和或磁芯特性变化会导致电流波形失真，产生更多的高频谐波噪声：
后果：系统的电磁兼容性变差，干扰其他电路正常工作，可能违反EMC规范。
(4) 温升传递到其他元件
电感发热直接传递到邻近元器件（如芯片、电容、PCB板），导致其温度超出额定范围：
后果：整个电路系统的寿命缩短，甚至出现连锁故障。
(5) 工作频率的限制
高温下磁芯的饱和磁通密度下降，需要降低工作频率才能避免饱和：
后果：电源的功率密度降低，无法满足设计要求。
6、PCB板翘曲或焊点问题
高温引起 PCB 热膨胀导致微裂纹，特别是无铅焊接工艺下，焊点可靠性降低。
BGA封装芯片焊点开裂，导致接触不良。
7、材料和设计缺陷
材料老化
长时间高温环境下，塑料件和绝缘材料老化，导致性能下降或短路风险。
设计裕量不足
元器件选择的热容限值接近实际工作温度，没有足够的热设计裕量。
焊接不良
元器件热胀冷缩引起焊接点疲劳，导致断开。
8、 热设计问题
散热不足
散热器设计不良：散热器尺寸或材料不足以将热量有效传递到外部。
散热接口材料问题：导热硅脂或导热垫片老化或涂抹不均匀，导致散热效率下降。
气流阻塞：风扇被灰尘堵塞，或设备内部布线不合理，阻碍散热气流。
环境温度过高
外部环境温度超过设备的设计工作温度，热量无法有效散发。热仿真不准确，或者对电子元器件和集成电路的功耗预估不足，造成实际功耗远远超过热仿真。
设计功耗超标
元器件负载过高，导致局部发热量超出散热系统设计能力。
应对策略
检查散热设计：优化散热器、风道或升级导热材料。
检测元器件发热点：通过热成像仪定位发热元件，并评估其工作温度。
提高元器件耐热等级：选择耐高温规格的电容、芯片或塑料件。
改善PCB设计：增加散热通孔，优化铜箔面积。
环境改善：降低设备外部环境温度或配置额外散热装置。
进行热测试：在高温环境下进行长时间运行测试，排查设计缺陷。
如果需要具体指导，可以提供更详细的设备信息或高温挂死的环境条件，以便进一步分析。
—推荐书籍—
【推荐书籍】硬十（电源篇）
【推荐书籍】《ADS信号完整性仿真与实战》第二版 蒋修国
