1. 刻蚀整体影响因素
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硅片利用液体表面张力，通过滚轮的支撑漂浮在液面上的，所以滚轮的水平对刻蚀的效果有着至关重要的影响，滚轮不平会导致偏高的部位刻蚀不足，进而造成边缘漏电，偏低的部位则会产生局部过刻严重的会导致黑边。硝酸控制着硅片的横向腐蚀，氢氟酸控制着硅片的纵向腐蚀，硝酸浓度过高则会导致硅片边缘二氧化硅层更快形成，被氢氟酸腐蚀，易造成黑边，氢氟酸浓度过高则会导致硅片的纵向腐蚀更容易发生，易造成局部的过刻。硫酸密度较大，主要用来调整反应液的粘稠渡和张力，合适的硫酸浓度能使硅片能够很好地浮在反应液上，过高的硫酸浓度会导致边缘刻蚀线发黑。刻蚀循环流量对刻蚀的效果至关重要，流量过大会导致液面波动过大会导致过刻，严重的会导致黑边，流量过小则会导致刻蚀不足。过高的温度会促进腐蚀反应，过快反应易造成局部过刻，过低的温度又会抑制反应，易造成刻蚀不足，一般刻蚀温度维持7-9℃。排风通过影响硅片表面气体流速影响边缘沾液情况，单侧的排风过大或过小易造成锯齿型过刻甚至黑边。
