1. 氧化-干氧氧化
① 氧化剂：H₂O
② (2) Si+2H₂O=SiO₂+2H2
③ 高温下，H2O易于分解为H和H-O
④ H-O在SiO2中的扩散系数高于O2在SiO2中的扩散系数
⑤ 水汽氧化的生长速率最高。
① 氧化剂:O2携带H2O
② Si+O₂=SiO2
③ Si+2H2O=SiO₂+2H2
④ 湿氧的氧化速率介于干氧氧化和水汽氧化之间
⑤ 半导体工艺中常用工艺:干氧+湿氧+干氧
4. 常压下干氧、水汽、湿法氧化法的特点及适应范围
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