远见智存的创始团队早在2016年便敏锐地洞察到高带宽内存方案的市场潜力，果断整合了国际顶尖的美光与尔必达两大技术团队，为公司在HBM技术领域的发展奠定了坚实基础。经过8年的不懈创新和技术突破，远见智存终于在2023年成功实现了HBM2e芯片的量产。
HBM2e芯片以其高带宽和低延迟的优势，成为数据密集型运算和AI模型训练的重要选择。具体而言，HBM2e芯片具备四大显著特点：高带宽，达到5.2Gbps，能有效支持复杂的计算任务；超低延迟，确保数据处理的即时性，满足实时性要求高的应用场景；优良的能耗比，尽管带宽大幅提升，能耗却未显著增加；灵活的设计，能够与多种硬件平台兼容，为客户提供更多选择。
在用户体验方面，HBM2e芯片在AI训练等高负载情境下的表现尤为突出。以图像识别、自然语言处理等需求为例，使用配备HBM2e芯片的设备进行训练时，速度和效果都显著优于传统存储方案，能够节省大量的时间成本和计算资源。同时，由于芯片的高性能，加速了模型的迭代更新，促进了AI技术的快速发展。
远见智存的步伐并未停歇。根据公司规划，2025年春节前后，远见智存将初步完成下一代HBM3/HBM3e产品的前端设计。HBM3作为最新一代的高带宽内存，使用宽数据路径（1024位），以6.4 Gb/s的速度运行，可提供819 Gb/s的带宽，而HBM3E则提供9.6 Gb/s的扩展数据速率和相同的功能特性集合。凭借其出色的带宽、高容量和紧凑的空间占用，HBM3/HBM3e已成为AI工作负载的首选内存解决方案。
