微纳光学(七)——浮雕型微纳光学元件的加工

百科   2024-10-25 20:30   陕西  

在微纳光学领域,浮雕型微纳光学元件凭借其出色的光学特性和较高的设计灵活性,已广泛应用于激光加工、光学传感和成像系统中。这类元件的独特性在于其具有台阶状或复杂轮廓的表面结构,可以精确调控光的相位、振幅和偏振状态。然而,实现这些结构的高精度加工对工艺技术提出了极高的要求。在当前的加工技术中,掩膜套刻、激光直写和电子束直写等方法都展示出不同的优势和适用范围。本文将探讨浮雕型微纳光学元件的主要加工技术,希望能让大家对微纳元件加工方法有一些大致的认识。如果觉得有帮助,还请多多转发支持。


Part1


常用加工技术

光学元件的加工是微纳光学技术中的关键环节,其应用广泛、工艺复杂。浮雕型结构能有效调控光波的相位与强度,因而被广泛用于二元光学器件的制作。主要加工方法包括掩膜套刻、激光直写、以及电子束直写等,每种方法在精度、成本、与应用方面各有优缺点,以下将依次介绍这些方法的基本原理与应用要点。
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微纳光学(六)——波前传感器
1.1 掩膜套刻

掩膜套刻是二元光学器件生产的核心工艺之一,广泛应用于台阶型微结构的制作。该技术通过将不同图案的掩膜层逐层套刻在光刻胶或其他基底材料上,逐步形成微纳米级的台阶结构。

  • 工作原理:掩膜套刻首先需要设计并制作具有微纳图案的掩膜版,然后通过曝光、显影、蚀刻等过程在基底上转移图案。多层套刻的难点在于层与层之间的精确对准误差控制,因为误差将直接影响到器件的光学性能。通常采用先进的对准系统与调节技术,以确保高精度的图案匹配。

  • 限制:掩膜套刻适合重复的周期性结构,然而在非周期性或自由曲面结构上局限较大,且层数越多,对准误差积累越显著。

1.2 激光直写

台阶式二元光学元件的制作需要多次重复掩模图形转印和刻蚀(或薄膜淀积)过程,加工环节多、周期长、且对准精度难以控制。此外,用台阶型浮雕轮廓近似连续浮雕轮廓,本身就带来误差,要减少这种近似误差,必须增加台阶数目。但随着台阶数目增加,图形线条变细,对准精度要求提高,加工更困难。

激光直写技术通过利用高能激光在光刻胶或感光材料表面直接扫描加工出预定图案。该技术不依赖掩膜,灵活性高,适用于样品的小批量定制和复杂结构的加工。

工作原理:激光直写系统通过精密控制激光束的功率、焦距、与扫描路径,在感光基底上逐层构建图案。光刻后通过显影将未曝光的区域去除,从而得到浮雕结构。根据材料的显影特性计算确定表面各点所需的曝光量分布,然后对基片上抗蚀剂进行扫描式逐点曝光,显影后在其表面形成连续变化的浮雕结构。

  • 限制:激光直写受限于激光光斑的尺寸及设备精度,对于超高精度或大面积的器件加工效率较低。激光直写技术制作器件最大的问题是不能精确控制光刻胶轮廓深度

1.3 电子束直写

与激光直写类似,电子束直写(Electron Beam Lithography, EBL)是一种高分辨率的加工方法,广泛应用于超精密微纳结构的加工,尤其适用于亚微米甚至纳米级的图案制作。

工作原理:电子束直写采用聚焦电子束在光刻胶上逐点扫描,形成所需图案。相比激光,电子束具有更短的波长,可以达到更高的分辨率(10 nm以下)。电子束直写原理与激光束直写相同,基于电子束在抗蚀层表面曝光剂量与显影后抗蚀层高度的线性关系,将光学元件轮廓分布用曝光剂量的大小表示出来,再用该剂量的电子束对基片逐点曝光,显影后得到设计的连续表面轮廓。电子束曝光量是靠在每个格点的驻留时间来控制的,而激光直写技术中曝光量随强度改变。

局限性:电子束直写的成本较高,加工速度较慢,适合于小面积的高分辨率加工,而不适用于大规模量产。电子束直写与激光束直写一样,也存在轮廓深度难以精确控制和刻蚀图案变形问题。

除了上述主要工艺外,浮雕型微纳光学元件的加工还涉及一些新兴技术,例如纳米压印、灰度掩膜以及聚焦离子束加工等。这些技术共同为浮雕型微纳光学元件的加工提供了多种选择,满足了不同应用领域对精度、成本、与效率的需求。


Part2


加工误差

以二元光学元件的套刻加工技术为例,加工过程中存在的误差类型主要分为四种,其中对准误差对元件光学性能的影响最大。

  • (a) 系统刻蚀误差:系统刻蚀误差是指元件在刻蚀过程中由于图形线深度不均匀或刻蚀工艺内部因素引起的误差。例如,在菲涅尔波带片加工中,中央区域的线条刻蚀深度通常较深,而边缘的刻蚀较浅。造成这种误差的主要原因是离子束的分布不均匀或刻蚀速率的不稳定,导致整个基片刻蚀深度呈现系统性变化,可能逐渐变深或变浅。

  • (b) 随机刻蚀深度误差:这种误差是刻蚀深度在一定范围内随机波动造成的,属于无规律性误差。在实际加工中,各种深度值在误差范围内的取值概率是均等的。通常,随机刻蚀深度误差的幅度较小,其最大值约为系统刻蚀误差的5%。

  • (c) 对准误差:对准误差是指掩模图形在多次转印过程中,由于掩模板之间的对准偏差引起的误差。这种误差导致浮雕轮廓相对设计轮廓产生偏移,尤其在层数较多的套刻中,微小的对准偏差会累积,直接影响浮雕结构的精度,是影响二元光学元件性能的主要因素之一。

  • (d) 线宽误差:线宽误差是由掩模图形的制作过程或曝光过程中产生的偏差,表现为实际图形线宽与设计线宽的差异。这种误差与掩模制作的分辨率和曝光参数密切相关,通常需要精确控制才能满足设计要求。

以上误差可以归为两类:纵向误差(包括系统刻蚀误差和随机刻蚀深度误差)和横向误差(包括线宽误差和对准误差)。纵向误差主要影响元件的刻蚀深度,而横向误差则影响图形轮廓和尺寸。二者对元件性能的影响是相互独立的,可以分别分析其对元件性能的具体影响。

在微纳光学元件设计中,衍射效率通常是一个关键的技术指标。对于具有周期性结构的器件,可借助傅里叶光学中的透过率函数理论,引入误差因子来计算不同误差对衍射效率的影响。如果衍射效率难以直接通过解析公式描述,还可以通过时域有限差分法(FDTD)等数值仿真方式进行计算。FDTD方法能够详细模拟误差的影响,目前已有多种成熟的商业仿真工具(如Lumerical FDTD和Ansys HFSS等)可供使用,帮助设计师进行精确的误差分析。
之后我也将以一个具体的FDTD仿真案例为例,展示如何评估误差对衍射效率的影响,感兴趣的读者可以关注后续内容。


Part3


总结

浮雕型微纳光学元件的高精度加工是实现其光学特性和功能性的关键,掩膜套刻、激光直写、电子束直写等工艺方法各有特点,并广泛应用于不同的结构制造中。每种加工技术不仅需要考量工艺成本和效率,还要兼顾误差控制以确保成品的光学性能。特别是在高性能应用中,误差源(如对准误差和刻蚀深度误差)对元件的衍射效率和光学响应有显著影响。

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[1] Faklis D , Morris G M .Spectral properties of multiorder diffractive lenses[J].Applied Optics, 1995, 34(14):2462-2468.

[2] 杨国光.微光学与系统[M]. 浙江大学出版社,2008.

[3] 颜树华.衍射微光学设计[M].国防工业出版社,2011.

之晓光学
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