重磅!国产光刻机突破了!

财富   财经   2024-09-15 12:10   湖南  



1.有大事

平常我会和别人互推或推广。这个号主怎么样,我也不可能知根知底,大家多观察。我很真诚,别人不一定。

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中秋第一天,咱妈就给我们来了点惊喜。

就在刚刚啊,国产DUV光刻机突破了,咱妈总是喜欢闷声发大财,9月6号的时候美国才说禁止DUV的出口,我们今天就狠狠地抽了老美的脸,你不卖就不卖,我们自己造!

下一次突破的就是EUV光刻机了。

这个DUV光刻机啊,解决了我们有没有的问题。


套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”。

按照套刻和量产1:3的关系,这次的DUV可以量产28纳米的芯片。

按套刻精度与量产工艺1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。

套刻精度能做到8纳米以下,也就是说你量产28纳米的芯片没有问题,如果你硬要提高精度的话,那么14纳米,7纳米也能做到,就是成本会高很多,应该也就华为用得起。

我们终于开始掌握高端的芯片制造。

美国制裁什么我们就有什么,美国怎么不制裁一下足球。

不过他们自己的足球好像也不行。

我们突破美国芯片制裁分4步走,现在走到了第二步。

第一步是生产65纳米的干式DUV光刻机。这个是刚刚工信部官宣的。

第二步是生产28nm工艺的第一代浸没式duvi光刻机。

第三步就是生产第二代浸没式duvi光刻机。

第四步是生产EUV光刻机。

而28纳米光刻机的生产其实现在也有传言了,市场上传言上海微电子的28纳米光刻机可能要进入小规模试产状态了。

而这个28纳米的光刻机,已经用在华为麒麟芯片的生产线上了,明年应该就能开始大规模的量产。

有了28纳米就能通过多重曝光造出5纳米的芯片,23年初的时候,市场就传说上海微电子已经开始着手第二代浸没式光刻机的研发。

而且上海微电子在9月10号的公开了一个叫做“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利。


这说明EUV(极紫外线)光刻机的光源问题就已经被解决了,未来造出EUV光刻机,那就是板上钉钉的事情。

拿造原子弹作比喻。

现在的65纳米,等于是解决了我们有没有原子弹的问题,明年的28纳米,会解决原子弹小型化的问题。

随后第二代浸没式DUVI光刻机会解决怎么把原子弹丢到美国本土上的问题。

最后的EUV光刻机就会解决没有氢弹的问题。

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