分享一篇 ACS Appl. Mater. Interfaces:通过 DFT 计算发现压力诱导的新型半导体电子相变:新型半导体家族的文章。
感谢论文的原作者!
================================
主要内容
================================
================================
================================
以上是我们分享的一些经验或者文章的搬运,或有不足,欢迎大家指出。若留言未回复,重要的消息可以留言再提醒一下,因为超过48小时不可回复。
如有侵权,请联系我们立马删除!
文章题目:
A Discovery of Pressure-Induced New Semiconductor Electronic Phase Transitions by DFT Calculations: Introducing a Glimpse of a Novel Semiconductor Family
文章链接:
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsami.4c12029
👇
【综述文章】J. Mater. Sci. Technol. :高熵合金结构-性能相关性建模的最新进展 【文献分享】J. Mater. Res. Technol. :机器学习辅助设计具有优异机械性能的高熵合金 【文献分享】Solid State Sci. :计算 II-VI 化合物熔化温度的原子均方位移法的扩展 【文献分享】Mater. Today Commun.:不同条件下高熵合金和中熵合金的纳米摩擦学行为:分子动力学研究 【文献分享】Mater. Today Commun.:机器学习辅助预测高熵合金/石墨烯纳米复合材料的力学性能