【文献分享】ACS Appl. Mater. Interfaces:DFT 计算发现压力诱导的新型半导体电子相变:新型半导体家族

文摘   2024-11-02 11:24   吉林  



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主要内容

“这项研究介绍了压力诱导的新半导体电子相变的发现。发现了一种新的半导体家族,它表现出压力诱导的带隙非单调变化,符合相变的定义,挑战了通过加压线性和单调带隙修改的传统理解。我们的发现表明在不同压力条件下原子间距和电子轨道贡献的复杂相互作用,导致带隙的变化。这种行为包括三个不同的步骤:第一,缩小,第二,扩大,第三,再次缩小,最终金属化;一些化合物可以绕过第一步,在压电和半导体技术中有潜在的应用。我们提出了两个新的半导体电子相变(SEPT ),它们与压力相关的带隙曲线中的特定拐点相关。我们的结果为进一步研究高压下晶体的电子性质开辟了道路,最终目标是揭示支配这些现象的更深刻的物理原理。”——取自文章摘要。

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文章题目:

A Discovery of Pressure-Induced New Semiconductor Electronic Phase Transitions by DFT Calculations: Introducing a Glimpse of a Novel Semiconductor Family


文章链接:

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsami.4c12029



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