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一．电池输入电路 二．辅助电源电路
三．高频逆变器前级电路的设计
四．高频逆变器后级电路的设计
五．逆变器的部分保护电路
图中 D 为防反接 MOS 的寄生二极管，便于分析原理画出来了。当电池极性未接反时，D 正偏导通，Q 的 GS 极由电池正极经过 F,R1,D 回到电池负极得到正偏而导通。Q 导通后的压降比 D 的压降小得多，所以 Q 导通后会使 D 得不到足够的正向电压而截至；
当电池极性接反时，D 会由于反偏而截至，Q 也会由于 GS 反偏而截至，逆变器不能启动。
这种防反接保护电路由于没有采用机械触点开关而具有比较长的使用寿命，也不会像反并肖特基二极管组成的防反接保护电路那样烧毁保险丝 F.因而得到广泛应用，缺点是 MOS导通时具有一定的损耗。但是随着半导体技术的发展，低导通内阻的 MOS 管层出不穷，像我们锐骏半导体新出的 RU4099,40V 的耐压，200A 的电流容量，低到 2.8mΩ的导通内阻，
2. 电池欠压保护：
为了防止电池过度放电而损坏电池，我们需要让电池在电压放电到一定电压的时候逆变器停止工作，需要指出的一点是，电池欠压保护太灵敏的话会在启动冲击性负载时保护。这样逆变器就难以起动这类负载了，尤其在电池电量不是很充足的情况下。请看下面的电池欠压保护电路。
可以看出这个电路由于加入了 D1,C1 能够使电池取样电压快速建立，延时保护。
3. 逆变器的过流短路保护电路的设计：
上图中电路正常工作时，ZD1 的负端的电位因 D2 的导通而使 ZD1 不足以导通，Q1，截止；D1 的负端为高电平所以 Q3 也截止。C1 未充电，两端的电位为 0。IGBTQ3 短路后退出饱和状态，集电极电位迅速上升，D2 由导通转向截止。当驱动信号为高电平时，ZD1被击穿，C2 能够使 Q1 的开通有一小段的延时，使得 Q3 导通时可以有一小段的下降时间，避免了正常工作时保护电路的误保护。ZD1 被击穿后 Q1 由于 C2 的存在经过一段很短的时间后延时导通，C1 开始通过 R4,Q1 充电，D1 的负端电位开始下降，当 D1 的负端电位开始下降到 D1 与 Q3be 结的压降之和时 Q3 开始导通，Q2,Q4 基极电位开始下降，Q3 的栅极电压也开始下降。当 C1 充电到 ZD2 的击穿电压时 ZD2 被击穿，C1 停止充电，降栅压的过程也结束，栅极电压被钳位在一个固定的电平上。Q3 的集电极电流也被降低到一个固定的水平上。
逆变电源设计概要(学习必备)-12页.pdf
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