自恢复保险丝+二极管，防反接防过流，缺点，自恢复保险丝有个0.1V左右的压降，大电流会发热，而且大电流的自恢复保险丝太贵mos防反接，成本低，压降小，可过大电流...
虽然现今这个社会已经默认了没按规定去操作就要全责，但谁都不想因为这事儿伤了和气，以后还要合作不是，更何况增加反接保护只要几毛钱的Bom成本，有的地方该加还是要加啊。天灾难避免，人祸需先防。👇👇👇更多技术资料👇👇👇![]()
一、自恢复保险丝 + 二极管。
缺点：1.自恢复保险丝有个0.xV左右的压降，大电流时会发热。 2.高耐压大电流的自恢复保险丝，不仅体积巨大，还贵。原理：- 电源极性正确接入时，二极管关断，相当于电路回路中串联了一个自恢复保险丝。 - 电源反接时，二极管导通，使自恢复保险丝过流熔断，电流回路开路。 所以反接的时候，自恢复保险丝会反复熔断、恢复，自恢复保险丝和二极管会些许发热。设计要点：D1的工作电流，起码要大于 F1的熔断电流（自恢复保险丝的熔断电流一般为工作电流的2倍，具体看手册）。
二、MOS管（N/P）
原理：PMOS、NMOS做反接保护的原理都一样，以PMOS的电路为例。 PMOS：- 电源极性正常接入时。Q2的寄生二极管导通，右侧S极的电压为 （24 - 0.7）=23.3V。 G极电压为 R9、R10的分压 24 x （200/（100+200））= 16V。 于是 Q2的 Vgs = 16 - 23.3 = -7.3V。 大于 AO3401的门极导通阀限电压 -1.3V，MOS管 DS极导通。 此时的压降 Vds仅等于 MOS-DS极内阻 x 电流，Q2热功耗很小。 - 电源反接时，Q2的寄生二极管关断，DS极需要承受电压。设计要点：R9、R10的取值，要保证不会超出 最大Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。MOS管的选型，要考虑 Vds、Vgs、DS极导通电阻（Rds-on）、DS极电流。图中 R9、R10为分压作用。使 P-MOS的 Vgs，不会超过 ±12V的最大 Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。图中 R9、R10为分压作用。使 N-MOS的 Vgs，不会超过 ±12V的最大 Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。进大家庭⭕圈探讨回复: 交流
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