从Tesla特斯拉Model 3拆解来了解碳化硅SiC器件的未来需求

2024-11-21 18:41   北京  

引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了解一下SiC器件的未来需求。


我们从前一段时间的报道了解到:

目前Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共24颗,拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外,其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等,都可以放上SiC,只是SiC久缺而未快速导入。
不过,市场估算,循续渐进采用SiC后,平均2辆Tesla的纯电动车就需要一片6吋SiC晶圆。当然,这算法未得到Tesla官方证实。
业者分析,单从Tesla可创造的需求来看,2020年如果不是COVID-19(新冠肺炎)带来销售及生产等多重变量,Tesla第1季宣称6月底美国工厂Model 3及Model Y的年产能将达50万辆,上海厂(Gigafactory 3)计划年底产能50万辆,使其总产能规模近100万辆,也就是说,Tesla一年平均约要50万片6吋SiC。
而目前全球SiC硅晶圆总年产能约在40万~60万片,其实光应付Tesla需求就显得吃紧。更何况其他车厂也积极跨足电动车,而且不单只有电动车对SiC有需要,包括5G基建,大电流、大电压等其他领域电力领域对SiC都有需求。

可见,目前SiC器件的产能严重之后于产业的发展。

Model3拆解后可以看到,其SiC器件使用的型号是:ST GK026 (24颗),由于这颗料在网上没有详细参数,我们来通过下面专家专业的分析来了解这颗料。

我们先来了解一下逆变器整体结

如上图所示,PCB只有一块,集成了控制、驱动等全部硬件,PCB通过焊接与下面的SiC MOSFET相连,除PCB外的壳体上安装了膜电容、SiC MOSFET、DC滤波模块、交直流母排、低压接插件等。可以说结构一目了然,相比Model S/X的要简单许多。


SiC MOSFET及铜排

采用ST的GK026,这是裸片型号,封装是特斯拉定制的,其他公司买不到。每半桥四个并联,排列方式如下图,单个器件的清晰图片前面有。可以看到采用了大量激光焊接的工艺将SiC MOSFET、输入母排和输出三相铜排连接起来。

输入母排和输出三相铜排

SiC MOSFET、PCB和集成铜排的连接比较复杂,是个三明治结构,SiC MOSFET在最下,通过一个白色塑料组件固定在散热板上,输入母排和输出三相铜排在中间,将MOSFET的D、S级以及正负极连接起来,PCB在最上,MOSFET的GS伸出较长焊接在PCB上。中间的白色塑料组件既起到固定作用,同时也是装配必不可少的夹具。

通过逆变器参数来分析SiC器件的参数

构成Model3全系列的电机电控有三个版本,分别是147kW、188kW、211kW,分析逆变器参数的铺垫。345VDC,211kW,永磁同步电机(功率因数稍高)。可以估算出逆变器峰值相电流为715Arms左右,4个SiC MOSFET并联,平均每个电流178Arms。如果仍采用前代的IGBT,则需要9~10个,从目前掌握的信息来看,还是用IGBT成本更低,不过以Tesla目前的体量和议价能力,有可能综合考虑了各方面因素,决定用SiC MOSFET的。如下图,供应商是ST,官网上查不到这个型号,只有裸片,封装是专门为Tesla定制的。

(以上分析来自 知乎@杨逸轩)


从以上的众多信息我们基本可以了解到,Model3中使用的SiC MOSFET器件应该是650V/100A的产品,根据我们目前掌握的一些资料,这种碳化硅器件按照目前的生产工艺,大概的单芯片尺寸是5.8mm*5.8mm,一个6"的碳化硅晶圆,目前大概可以生产出300个良品的裸晶。

前面的介绍中我们提到:目前Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共24颗,拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外,其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等,都可以放上SiC(将来还会有电动汽车无线充电)如果一台电动车的关键部位全部使用SiC器件,每台这样规格电动车SiC器件使用到到150颗是完全有可能的,那么一片6”晶圆是只能满足2台车的使用。
这还只是一家车厂的使用,而碳化硅的应用还有很多场合:



而我们目前所谈到的电动车的应用只占到碳化硅器件市场的30%左右,目前阶段碳化硅(SiC)器件市场估计将以30%以上的复合年增长率(CAGR)上升,预计会从2019年的5亿美元上升到2025年的25亿多美元。
这么强劲的市场增长势头势必会带动第三代半导体产业的迅猛发展,国产器件厂商也不甘落后,目前纷纷投资SiC产业,相信会有很大的发展。

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