【科技明说 ｜ 科技热点关注】
韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）开始量产321层堆叠的NAND闪存，自2025年上半年开始交货。据说采用独家的4D技术，集成度比属于业界标准的3D(3维)更高，因而实现了321层。
NAND摩天大楼盖楼大赛一直就没有停过，SK海力士（SK Hynix）自然也乐此不疲。通过采用“3 plugs”（三插）工艺技术，（SK Hynix）早已成功实现了超过300层的堆叠，这是一项技术上的突破。这种技术通过优化的后续流程在三次插孔（plug）过程后电连接三个插孔，提高了生产效率。
资料显示，SK海力士新的321层NAND闪存产品在数据传输速度上比上一代提高了12%，在读取性能上提高了13%，并且在数据读取的功耗效率上提升了超过10%。这些性能的提升对于满足高性能和高容量存储的需求至关重要，尤其是在人工智能（AI）和数据中心等应用领域。
通过在321层产品上采用与238层NAND相同的开发平台，SK海力士能够将生产力提高59%，同时最小化由于工艺转换带来的影响。这点，SK海力士特别用心，也做得比较好。
当然，SK海力士通过这项技术进步，增强了在AI存储市场的竞争力，特别是在AI数据中心和设备上的SSD市场。SK海力士目前正朝着成为“全栈AI存储解决方案提供商”的目标迈进，通过在超高性能NAND领域增加产品组合，进一步巩固其在DRAM业务上的领导地位。
展望未来，随着数据量的激增和对高性能存储解决方案的需求增长，SK海力士通过量产321层NAND闪存，能够提供更高容量、更高速度和更高效率的存储产品，以满足市场的需求，下一步与三星电子PK也就胸有成竹了。那么，对此诸如其他NAND友商三星电子、铠侠、美光科技、西部数据作何感想呢？
