新一代低能耗晶体管: 功耗指标 3️⃣ 数量级 < 已报道所有晶体管

学术   2024-11-11 14:16   中国香港  

研究背景

晶体管是集成电路的基本单元,是上世纪人类最伟大的发明之一。过去近六十年间,晶体管尺寸遵循摩尔定律不断缩小,相应的性能不断提升。
但是,随着晶体管尺寸缩小,特别是小于几纳米时,晶体管的功耗会显著增加,极大地制约着新一代器件的设计和制备。在考虑动态功耗和静态功耗下,晶体管的功率密度受晶体管密度、工作频率等因素影响;特别是和电源电压平方正相关。
因此,探索晶体管降低电源电压的有效机制,已成为设计下一代低能耗晶体管等电子器件一个重要途径。

研究内容

近日,重庆三峡学院谭兴毅教授、南京理工大学张胜利教授、华中科技大学傅华华教授等,利用二维材料的金属-半导体相变并结合隧道场效应,提出了一种新型具有低电源电压的晶体管设计(见图 1)。该晶体管可在极低电源电压 (0.05/0.10 V) 和极短栅极长度 (3~5 nm) 下,其开态电流 (Ion)、功耗延迟积 (PDP) 和延迟时间 (τ) 等关键参量,都很好满足 2013 版国际半导体技术路线图 (ITRS) 所规定的对高性能器件要求。特别是其功耗延迟积与延迟时间,显著小于当前报道的所有晶体管,该设计为下一代低功耗晶体管提供了新思路。

  • 图 1. 隧道场效应晶体管原理,开态 (a);关态 (b)。金属-半导体相变晶体管原理,开态 (c):沟道材料为金属;关态 (d):沟道材料在外电场作用下变为半导体

常规的隧道场效应晶体管原理如图 1 所示:开态 (a),关态 (b)。金属-半导体相变晶体管原理,开态 (c):沟道材料为金属;关态 (d):沟道材料在外电场作用下变为半导体。

  • 图 2. (a) 金属-半导体相变晶体管结构图。器件输运特征曲线:(b) 栅极长度 3 nm, (c) 栅极长度 4 nm, (d) 栅极长度 5 nm

作者计算了栅极长度为 3、4、5 nm 器件的输运特性,发现在极低的源漏电压 (0.05,0.10 V) 下,栅极长度为 3、4、5 nm 器件可以达到 ITRS 中高性能器件的开态电流 (900 µA µm-1);栅极长度为 4、5 nm 器件可以达到 ITRS 中高性能器件的关态电流 (0.1 µA µm-1) 要求。

  • 图 3. 器件的 PDP 与 τ 关系



作者计算了栅极长度为 5 nm 器件的功耗延迟积 (PDP) 和延迟时间 (τ),发现其功耗延迟积与延迟时间比当前报道的所有晶体管小三个数量级。
综上所述,本工作利用金属-半导体相变构建了一种新型晶体管,该晶体管具有极低的电源电压和极低的功耗。这不仅为设计下一代低功耗电子设备开辟了新的途径,而且对于推动电子设备向更高能效和更小体积的方向发展具有重要意义。此外,这种新型晶体管的设计和实现,预示着未来电子设备在能效和性能上的巨大飞跃,对于节能减排和可持续发展具有深远的意义。
该成果以“A next-generation transistor with low supply voltage operation constructed based on 2D materials' metal–semiconductor phase transition”(《基于二维材料金属-半导体相变构建的具有低电源电压的新一代晶体管》)为题,发表在英国皇家化学会期刊 Materials Horizons 上


论文信息

  • A next-generation transistor with low supply voltage operation constructed based on 2D materials' metal–semiconductor phase transition

    Xingyi Tan, Hengze Qu, Jialin Yang, Shengli Zhang* and Hua-Hua Fu*

    Mater. Horiz., 2024
    https://doi.org/
    10.1039/D4MH00662C

作者简介

谭兴毅 教授
重庆三峡学院

本文第一作者,重庆三峡学院教授。主要从事于凝聚态物理磁学、电子学及器件应用等研究工作。主持国家自然科学基金项目1项,湖北省自然科学基金面上项目 1 项。先后在 Mater. Horiz., Phys. Rev. B, J. Mater. Chem. C, Nanoscale 等国际权威或重要期刊上发表 SCI 收录论文 60 余篇。







张胜利 教授
南京理工大学

本文通讯作者,南京理工大学材料学院教授,博士生导师,入选国家高层次青年人才计划。主要从事二维材料、量子点材料等基态/激发态计算,物性调控及其器件应用等。目前,以第一/通讯作者发表 SCI 论文 120 余篇,其中在 Nat. Commun.、Adv. Mater.、JACS 等 IF>10 的期刊上发表论文共 60 余篇,总引用近 1.8 万次。先后入选科睿唯安、爱思唯尔等全球高被引科学家,入选江苏省青蓝工程中青年学术带头人、江苏省六大高层次人才等,主持/参与国家基金委等省部级以上项目 10 余项,获江苏省自然科学一等奖,中国材料学会一等奖。








傅华华 教授
华中科技大学
本文通讯作者,教授,博士生导师。主要从事于凝聚态物理磁学、自旋电子学及拓扑物态等理论方向研究工作。已主持国家自然科学基金项目 3 项(其中面上 2 项);主持中国博士后科学基金面上一等资助项目(2007 年)、首批特别资助项目(2008 年)和湖北省自然科学基金面上项目 1 项(2009年)各 1 项;以骨干成员(排名第二)参加国家自然科学基金重点项目 1 项等。先后在 Nano. Lett., Adv. Funct. Mater., npj Comput. Mater., J. Phys. Chem. Lett., Phys. Rev. B, Phys. Rev. Res., Appl. Phys. Lett., J. Mater. Chem. C, Nanoscale, J. Phys. Chem. A, J. Chem. Phys., New J. Phys. 等国际权威或重要期刊上发表 SCI 收录论文 80 余篇。担任 Nat. Commun., PRB、APL,PCCP,PLA 等 10 余个国内外 SCI 期刊的审稿人。先后多次到美、日、新加坡等国开展学术交流和访问。

期刊介绍

Urgent short reports of exceptionally high quality & innovative materials science

rsc.li/materials-horizons

Mater. Horiz.

2-年影响因子*12.2
5-年影响因子*12.5
JCR 分区*Q1 材料科学-跨学科
Q1 化学-跨学科
CiteScore 分18.9
中位一审周期38 


Materials Horizons 是材料科学领域的领导性期刊,发表高质量、高创新性的研究成果。该期刊侧重于原创性研究,强调所发表的论文要提出新的概念或新的思维方式(概念上的进展),而不是以报道技术方面的进展为主。当然,在概念上未有创新但实现了突破性进展的杰出工作(例如材料性能突破已有纪录)也有被发表的机会。另外,该刊要求所发表的论文能引起材料科学各领域读者的广泛兴趣。

Chair
  • Martina Stenzel
    🇦🇺 新南威尔士大学

Scientific editors
  • Jean-Luc Bredas
    🇺🇸 美国亚利桑那大学

  • Bruno Chaudret
    🇫🇷 图卢兹大学

  • Guoping Chen (陈国平)
    🇯🇵 日本国立材料科学研究所

  • Yong Cui (崔勇)
    🇨🇳 上海交通大学

  • Simone Fabiano
    🇸🇪 林雪平大学

  • Zhongyi Jiang (姜忠义)
    🇨🇳 天津大学

  • Kisuk Kang
    🇰🇷 首尔国立大学

  • Norbert Koch
    🇩🇪 柏林洪堡大学

  • Yun Jung Lee
    🇰🇷 汉阳大学

  • Yi Long (龙祎)
    🇨🇳🇭🇰 香港中文大学

  • Roisin Owens
    🇬🇧 剑桥大学

Editorial board members

  • Kelsey B. Hatzell
    🇺🇸 普林斯顿大学

  • Mark Thompson
    🇺🇸 南加州大学

  • Shu Yang (杨澍)
    🇺🇸 宾夕法尼亚大学

* 2023 Journal Citation Reports (Clarivate, 2024)
 CiteScore 2023 by Elsevier
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