真假未知，突然众多的媒体报道称，台积电收到美国的通知，不准给中国大陆的芯片厂商，代工7nm及以下工艺的AI芯片，而有记者问及台积电此事，而台积电没确认，也没否认。
说真的，如果这个消息为真，那么对于国内的AI芯片领域而言，将是一片哀鸿遍野，因为国内绝大部分的7nm AI芯片，都是台积电代工的，包括智驾芯片、GPU、AI、DCU等。
再加上目前国产替代加速，众多的企业，均在采用国产AI 芯片，来替代国外AI芯片，一旦没有代工了，这些国产AI芯片怎么来替代？
接下来，要么大家切换工艺，比如切换成10nm或14nm这些不受限的工艺，要么重组供应链，找到可以代工7nm芯片的代工厂。
但不管是哪一种方式，困难都很大，并不是短时间之内能够解决的，同时这也只是权宜之计，并不是长久的办法。
而这个时候，很明显，国产7nm光刻机，已经是迫在眉睫了，如果我们有国产的7nm光刻机，那还怕什么，毫不在乎啊。
7nm光刻机，其实严格的来讲，并没有这一说法的，只是大家习惯上用工艺来对应芯片，按照真正的光刻机定义，能够制造7nm芯片的光刻机，其实有两种，一种是浸润式DUV光刻机，一种是EUV光刻机。
EUV光刻机，目前全球仅一家厂商能够制造，那就是ASML，这种光刻机，短时间之内，我们几乎不太可能可以搞定，因为EUV有几大核心器件，目前全球仅有蔡司等厂商能够制造，而蔡司等厂商已经被ASML捆绑在一起了，我们要达到它们的水平，非常难。
但我们攻克浸润式DUV光刻机，并没有想象中那么难，前段时间权威机构曝光了一台氟化氩光刻机，采用193nm波长的光源，分辨率小于等于65nm，套刻精度小于等于8nm。
这台光刻机，其实已经是干式DUV光刻机中的顶级水平，距离浸润式DUV光刻机，仅一步之遥了。
浸润式DUV，和干式DUV只有一个区别，那就是在晶圆前面，加一层水为介质，193nm波长的光源，在经过水这层介质时，波长因为折射，会等交效于134nm，从而达到波长变短，分辨率变高的目的。
所以只要搞定这一层水，也就是浸润式系统，我们就立马可以跨进浸润式DUV的水平，也就能够实现7nm光刻机了，而浸润式系统的难度，比EUV肯定低太多了，完全不是一个量级的。
所以，希望国产的浸润式DUV光刻机，也就是大家眼中的7nm光刻机，赶紧出来吧，那么所有的芯片禁令，几乎就都是废纸了，你不代工，不卖给我们，我们全部自己制造，大家也不再受美国这窝囊气了。
