2024年11月18日
第104届中国电子展
盛大开幕
第二天展会现场持续火热
展商、观众热情高涨
现场人气满满
精彩纷呈
开展第二天，我们继续深入现场探寻，这些新兴的第三代半导体企业带来了哪些令人瞩目的新看点呢？
碳化硅SiC
碳化硅作为第三代半导体的典型代表，具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，碳化硅器件可以显著降低开关损耗。因此，碳化硅可以制造高耐压、大功率的电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新能源汽车等行业。
根据市场研究机构发布的报告显示，受益于纯电动汽车应用需求的增长，2023年全球SiC（碳化硅）功率器件市场保持了强劲成长，前五大SiC功率器件供应商约占整个市场营收的91.9%。国内厂商近年来在碳化硅领域的发展也十分迅速，特别是在碳化硅功率器件方面，国内企业的市场占有率正在快速提升。
烟台台芯电子科技有限公司（3A066）
烟台台芯电子科技有限公司创立于2017年，主营业务包括IGBT芯片设计、研发，IGBT功率模块和单管封装、生产、检测和销售，以及第三代宽禁带半导体SiC器件的研发和生产,目前公司已通过武器装备质量管理体系、质量管理体系、环境管理体系、职业健康安全管理体系、知识产权管理体系、IATF16949汽车业质量管理体系、两化融合体系等认证，多个系列产品通过UL、RoHS认证。
公司产品主要面向感应加热、变频器、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、风力发电、智能电网等新能源领域，先后获得国家高新技术企业、科技型中小企业、山东省“专精特新”中小企业、山东省瞪羚企业、烟台市一企一技术中心、烟台市工业设计中心等称号。
陕西半导体先导技术中心有限公司（2B012）
陕西半导体先导技术中心成立虽然不满十年，但一直在致力于加快半导体前沿关键技术研发创新，推动以先进半导体器件和第三代半导体为核心的产业创新，服务于中国先进半导体的技术创新和成果转化。
目前，碳化硅肖特基二极管已经量产4款产品，具备650V-1700V SBD芯片和器件全系列产品的研发能力；碳化硅MOSFET已经量产7款产品，具备1200V-3300V MOSFET芯片和器件全系列产品的研发能力；此外，碳化硅模块也已量产7款产品，且正在研发1款产品。
近日，陕西半导体先导技术中心有限公司又申请了一项名为“一种带有突出P阱的UMOSFET器件及其制备方法”的新专利。该专利的创新点在于其器件设计和制备工艺，旨在显著改善UMOSFET（绝缘栅双极型场效应晶体管）的性能。这一技术的突破，预示着未来半导体器件的发展将迈出重要的一步。
氮化镓GaN
氮化镓作为第三代半导体材料的佼佼者，凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，在半导体功率器件领域展现出巨大潜力。与传统的硅材料相比，氮化镓能够在更高的频率和功率下工作，显著提升设备的性能和效率。这一优势使得氮化镓在消费电子、电动汽车、数据中心等多个领域得到广泛应用。
随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。据预测，到2030年，氮化镓市场规模有望达到数十亿美元。面对氮化镓技术的广阔市场前景，国际芯片巨头纷纷加大布局力度。与此同时，国内厂商也在积极追赶，不断提升自身在氮化镓领域的竞争力。
杭州东渐氮化镓半导体有限公司（2A062）
杭州东渐氮化镓半导体有限公司作为一家专注于氮化镓半导体技术研发的新兴企业，致力于推动氮化镓技术在电力电子、低空探测导航控制、5G/6G通信、新能源汽车、医疗等领域的创新应用，为客户提供氮化镓半导体解决方案。
虽然成立仅有半年多，但在场景应用落地方面，杭州东渐氮化镓半导体有限公司却下有先手。不久前，该公司即与上海海神机器人科技有限公司签署战略合作协议，双方将联合研发适用于海、陆、空机器人的新一代高性能芯片；同时，打造“光储充一体化”与“智慧物业管理机器人”的多场景应用，实现多维度降本增效。
上海海神机器人科技有限公司是知名“无人车+无人机+无人船”立体安防无人装备制造商，核心技术包括自动驾驶、远程驾驶、舰载起降、域控制器、整车制造和智控云平台等。达成战略合作，有望推动氮化镓技术在机器人领域的渗透应用，因为氮化镓技术的应用可以提高机器人驱动系统的能效比、热管理性能，并实现更紧凑的设计。氮化镓器件的高速开关特性也有助于提高开关频率，减少电机电流纹波，降低电机温度，提升系统效率。
广东中科半导体微纳制造技术研究院（2B050）
广东中科半导体微纳制造技术研究院一期投入12亿元，在半导体芯片领域布局“半导体微纳加工、半导体材料外延与表征”两大中试平台，二、三期打造华南地区条件最完善、产业链覆盖最齐全的技术驱动型半导体产业园，通过中试平台+产业孵化育成模式，建设具有全国影响力的半导体工程化创新平台、产业培育基地及工程化人才培养基地。
该单位的半导体微纳加工平台，具备8英寸硅晶圆及8英寸硅基氮化镓（GaN）晶圆加工能力，并兼容2英寸、4英寸、6英寸晶圆加工，提供中试流片、产线共建、技术咨询等服务；半导体材料外延与表征平台，可提供2-8英寸氮化镓材料外延生长、材料（器件）表征测试、器件封装等服务。佛山半导体产业园，聚焦芯片制造及其上下游领域，建有千级、万级超净厂房超5万平米，资质完善、配套齐全，实现企业入驻即生产。
金刚石
金刚石相对于碳化硅和氮化镓略欠成熟，但因其具有超宽禁带、高击穿场强、高载流子饱和漂移速度、高热导率等材料特性，以及优异的器件品质因子，作为衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件，克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技术瓶颈。
这些特性使得金刚石在芯片制造领域展现出巨大潜力，常被用于高功率密度、高频率电子器件的散热。在5G/6G通信，微波/毫米波集成电路、探测与传感等领域发展起到重要作用。金刚石半导体也因此被认为是极具前景的新型半导体材料，被业界誉为“终极半导体材料”。
河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司（2A068）
河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司作为国内金刚石半导体行业的领先企业，在其金刚石晶圆产线正式投产，并发布了首款产品——3.5GHz金刚石基声表面波高频滤波器之后，使这一采用全新技术路线、具备颠覆性创新的产品，终于从实验室走到了生产线。
该公司选择金刚石作为晶圆材料，借助其极高的硬度、优异的导热性和介电损耗等优异性能，攻克了大面积硅基异质金刚石薄膜沉积、多元素重掺杂压电薄膜沉积等关键工艺，通过在材料和工艺两方面的创新，绕开了国外的专利壁垒，成功实现了金刚石基压电多层膜晶圆的规模化生产，使高频滤波器的生产工艺大大简化，例如过去20道光刻才能实现的高频滤波器的电路集成，金刚石基晶圆片上只需2道即可完成。基于此，金刚石基的高频滤波器还做到了尺寸缩短45%，成本减少90%。
除了滤波器，该公司还发布了一款金刚石基功率放大器，这同样是射频芯片的重要部件之一，据介绍，相较于传统材料的功率放大器，新品可实现同等运行性能下温度降低25%以上。
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