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MOSFET使用很广泛，但常常见到不能确定各个端子的分布的问题，本文将介绍如何使用模拟万用表测试 MOSFET 晶体管，实用分享供大家参考。
MOSFET （又称 FET）是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称。FET 在电子设备中广泛用于开关和放大电子信号。FET 是一种三端器件，如源极、栅极和漏极。你可以在电源和许多电子设备中找到它们。在电路中，场效应管的故障和漏电率相当高，因此您需要知道如何对其进行准确测试。首先，您需要从半导体对照参考书或数据表中找出栅极、漏极和源极引脚。一旦你确定了FET的每个引脚，那么你可以使用你的模拟万用表（设置为乘以10k欧姆档）范围测试你的FET。假设你测试的是n沟道FET，那么就将黑色探针放在漏极引脚上。用红色探针触及栅极引脚，以使FET中的任何内部电容放电。现在，将红色探针移至源端，同时黑色探针仍接触漏极。用你的右手手指同时触摸栅极和漏极引脚，你会注意到模拟万用表指针将向前移动到仪表的刻度中心范围。将红色探针从源端引脚上提起并再次放回源端引脚，指针将保持在仪表刻度的中间。要使FET放电，你必须抬起红色探针并仅在栅极引脚上触摸一次。这将最终使内部电容再次放电。此时，使用红色探针再次触摸源引脚，指针根本不会动，因为你已经通过触摸栅极引脚将其放电。这些是良好的FET特性。你需要通过一些FET器件来进行更多练习。一旦你知道了这些秘密，测试其他FET就像测试二极管一样简单。如果你注意到你测量的所有结果指针都指向向零欧姆，并且不会放电，那么FET被认为是短路的，需要更换。测试P沟道FET场效应晶体管的方法与检查n沟道FET的方法相同。您要做的是在检查P通道时切换探头极性。一些模拟万用表具有×100k欧姆范围，这种类型的仪表不能真正测试FET，因为万用表内没有9伏电池，这种类型的万用表将没有足够的功率来触发FET。确保使用带有×10k欧姆范围选择器的仪表。
