近日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）在苏州隆重召开，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）正式发布9项SiC MOSFET测试与可靠性标准。其中，4项标准由浙江大学绍兴研究院参与，我院参与的主要起草人为微电子研究中心电气分中心郭清、林氦。
据悉，2021年起，为促进产业链协同创新发展，第三代半导体产业技术创新战略联盟布局并持续启动了 SiC MOSFET 功率器件阈值电压测试方法、开关动态测试方法、栅极电荷测试方法、高温栅偏试验方法、高温反偏试验方法、高压高温高湿反偏试验方法、动态栅偏试验方法、动态反偏试验方法、动态高温高湿反偏试验方法等系列标准制定工作，为产业技术创新寻求相对统一的产品可靠性评价及测试方法，增强应用市场信心，支撑新兴市场开拓。
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