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如何测离子注入后PN区的深度？

学术 2024-11-01 18:02 北京

文章来源：Tom聊芯片智造

原文作者：Tom‍‍‍

本文主要介绍运用化学染色法测量离子注入后PN区的深度。

分析注入的剖面有什么作用？

离子注入过程中，掺杂元素（硼、磷、砷等）被注入到半导体晶体中，注入硼，形成P型硅；注入磷、砷，形成N型硅。形成的掺杂剖面对芯片的电学特性影响很大，因此研究掺杂剖面在芯片的失效分析、制程监控等用途很大。

测结深的方法有哪些？

SIMS，霍尔效应测量，XPS，SCM，化学染色法等均可以用来测结深。在本文中，我们详细讲解化学染色法。

化学染色法的原理？

染色溶液与硅表面会发生电化学反应，p区与n区在染色溶液里的反应速率不同，呈现出不同深浅的颜色，显现出p区与n区之间的界限。经过染色后，可以使用显微镜或电子显微镜观察染色效果，从而确定PN结的具体位置和界限。

化学染色法的几种染色溶液配方？

1，三氧化铬(CrO3 ) 、氢氟酸(HF)和水( H2O)

2，氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3) 和醋酸( CH3COOH)

3，硫酸铜( CuSO4 ·5H2O) 、氢氟酸(HF) 和水( H2O)

等等

以上配方中加入HF主要是除去硅片表面的氧化物，使反应顺利进行。

END

转载内容仅代表作者观点

不代表中国科学院半导体所立场

编辑：一二

责编：木心

投稿邮箱：weixin@semi.ac.cn

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