光伏技术 | BC电池湿法去绕镀

学术   2024-11-24 21:20   河南  

1. 单晶硅湿法工艺-正面去绕镀

① 湿法工艺分类
② 单晶晶向选择性示意图
各项同性:硅不同晶向的腐蚀速率相同;
各向异性:硅的腐蚀速率跟晶向相关;
③ 单晶碱制绒原理
在高温下硅与低浓度碱发生如下化学反应(各项异性腐蚀):
由于硅各个晶面的原子密度不同,与碱反应的速率差异很大,如下图所示;
④ 单晶酸制绒原理
a.单晶酸制绒(各项同性):
硝酸先将硅氧化,然后HF将硅的氧化物溶解,硝酸的氧化势由未电解的硝酸量决定;
b.腐蚀速率与酸浓度关系曲线
区域-1
氢氟酸浓度占优,腐蚀速率受硝酸浓度控制,速率曲线平行于硝酸浓度;
区域-2
硝酸浓度占优,腐蚀速率受氢氟酸控制,速率曲线平行于氢氟酸浓度;
区域-3
初始腐蚀速率对稀释剂的量不敏感,当稀释剂的量增加到某个程度之后,腐蚀速率迅速减少。
2. 去除多晶硅绕镀方法
① 三种湿法工艺处理原理
G1:NaOH 碱
G2:HF/DIO3 酸
G3:HF/HNO3 混酸
② 多晶硅 Poly在不同溶液中的腐蚀速率
③ 光谱仪测试厚度结构示意图
④ 各种湿法工艺实验验证数据
实验结果:HF/HNO3 有合适的刻蚀速率, 良好的清洗效果, 更好的刻蚀选择比和更高的电池效率等优点,选用HF/HNO3 混酸刻蚀体系清洗表面绕镀最优。
⑤ 绕镀清洗前后对比

END


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