光伏技术 | TBC电池工艺流程
学术
2024-11-20 21:21
河南
TBC 钝化接触背接触电池（TOPCon Back Contact），全称为TOPCon与IBC技术结合形成的电池，也被称为POLO-IBC电池。从基础制备工序上来讲，TBC电池的制备要经过预清洗/去损伤层、背面LPCVD、背面掩膜、背面激光开槽、背面硼掺杂、背面掩膜、背面激光开槽、背面磷掺杂、清洗去绕度、正膜、背膜、丝网印刷、烧结、测试分析、包装。① 主要作用：清洗抛光，去除原硅片切片损伤及表面脏污；④ 表征：抛光减重（电子天平），抛光反射率（反射率测试仪）；iVoc(WCT-120);PL亮度（R3）① 主要作用：形成隧穿氧化层及多晶硅层，整体形成隧穿氧化层。④表征：poly-si厚度（poly-si 厚度测试仪），氧化硅厚度（ECV）；iVoc(WCT-120);PL亮度（R3）① 主要作用：形成氮化硅掩膜层，为下道激光工序做准备。④ 表征：氮化硅厚度（椭偏仪）；iVoc(WCT-120);PL亮度（R3）① 主要作用：背面氮化硅掩膜图形化，激光局部（背面扩硼区）刻蚀，为硼扩散做准备。⑤ 调整激光的频率与能量，可以实现去除氮化硅膜而保留下面本征Poly硅层的工艺效果。① 主要作用：将背面无掩膜区域的本征poly硅层通过硼扩散转变成p-Poly硅层，并在上面形成含硼氧化硅层（BSG）。③ 工艺化学品使用：三溴化硼，气体使用：O2、N2 ；① 主要作用：将背面残余的氮化硅掩膜去除，并保留掩膜下面的本征poly硅层。① 主要作用：将上一步显露出的本征Poly硅层通过磷扩散转变成n-Poly硅层。③ 工艺化学品使用：三氯化磷，气体使用：O2、N2；⑤ 上一步所残留的含硼氧化硅层充当了磷扩散掩膜，阻止了磷对其下面p-Poly硅层的污染，其自身也因为磷的渗入转变为含磷硼氧化硅。① 背面石蜡掩膜涂敷，为下面湿法化学处理做准备，保护背面需要的保留的氮化硅层不被腐蚀掉；① 工艺目的：去除在电池基体正面形成的所有掺杂层，将硅基本体露出，并在其表面上形成制绒面以降低反射；同时，将背面的P区和N区通过化学腐蚀进行隔离，减少电池漏电END
