长波长的入射光子能量小于材料的禁带宽度，导致入射光直接穿过电池—低能量光子损失；
入射光能量远高于材料的禁带宽度，产生的高能电子-空穴对与晶格碰撞热弛豫损失掉—高能量光子损失；
2. 复合损失（PERC/HJT/TOPCon）
① 电子和空穴穿越P-N结的复合损失；
② 电子和空穴在电极接触区的复合损失；
③ 电子和空穴在衬底内/界面处复合损失；
END
长波长的入射光子能量小于材料的禁带宽度，导致入射光直接穿过电池—低能量光子损失；
入射光能量远高于材料的禁带宽度，产生的高能电子-空穴对与晶格碰撞热弛豫损失掉—高能量光子损失；
2. 复合损失（PERC/HJT/TOPCon）
① 电子和空穴穿越P-N结的复合损失；
② 电子和空穴在电极接触区的复合损失；
③ 电子和空穴在衬底内/界面处复合损失；
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