功率MOS具有驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高等有点。Rdson与温度成正比特性，可以将多个MOS进行并联使用，这对提高输出电流非常有意义，但应注意如下2点： 👇👇👇更多技术资料👇👇👇1.器件不匹配导致的电流不平衡(1)开关转换期间的电流不平衡一般来说，开通和关断开关转换期间会出现电流不平衡现象。这是由于并联MOS之间的开关时间差异所致。开关时间的差异很大程度上取决于Vth的值。即Vth越小，开通时间越快；Vth越大，关断时间越快。因此，当电流集中在Vth较小的MOS中时，开通和关断期间都会发生电流不平衡现象。并联连接时，为了减少开关期间的开关时间差异，最好使用Vth接近的MOS，同步确保并联MOS之间的互连线路长度相等。(2)稳态运行中的电流不平衡因MOS导通电阻的正温度系数通常会为电流不平衡提供补偿，使通过每个MOS的电流相等。因此，稳态电流中的不平衡很少出现。2.并联运行的寄生振荡(1)因漏源电压振荡导致的栅极电压振荡MOS内部栅极电阻极小，在无外部栅极电阻情况下，该谐振电路的品质因素很大。开关期间MOS的漏极和源极会产生尖峰电压Vspike，主要是因为关断期间的高di/dt和漏极以及引线中的杂散电感Ld。如果尖峰电压Vspike导致的振荡电压通过MOS的Cgd传输到栅极，就会与栅极线路的杂散电感L形成谐振，产生很大的振荡电压。如果振荡电压过大，会导致发生栅源过电压故障、开通故障或振荡故障。(2)并联MOS的寄生振荡以单个MOS为例，MOS的驱动路径上相当于RLC谐振电路，图1是等效电路和波形，当RLC出现R<Sqrt(L/C)，栅极电压会出现振荡，此时MOS的工作状态不再是完全开通或完全关断状态，而是会反复进入高阻导通状态，从而出现高损耗发热，发热会导致MOS的Vth的下降，使得MOS更容易反复进入高阻导通状态，直至高损耗发热烧毁。图1-RLC谐振等效电路和波形一般来说，并联MOS比单MOS更容易发生寄生振荡，这是由于漏极/源极/栅极线路、接合处和其它线路中的杂散电感，以及MOS的结电容导致的。并联MOS形成了具有高品质因素的谐振电路，由于具有高增益的反馈环路，该谐振电路极易发生振荡。3.并联MOS寄生振荡的方案要避免发生寄生振荡，首先选择MOS时要求Cds/Cgs比值较低，跨导gm值较小，这样就不容易发生振荡。除了器件本身属性，也可以使用外部电路来防止发生寄生振荡，有如下两种方法：(1)为每个MOS的栅极串入一个栅极电阻R1或者一个铁氧体磁珠，这样可减小谐振电路的品质因素，从而减小正反馈环路的增益。实验证明，为并联的每个MOS串入栅极电阻可以有效防止发生寄生振荡，如图2所示。。图2-并联MOS栅极串入电阻(2)在MOS的栅极和源极之间添加一个陶瓷电容器，如图3所示。图3-并联MOS栅源极加电容总的来说，gm值较小的MOS价格会稍高；栅极串电阻会影响MOS的开关速度，电阻值会导致开关损耗增大；而在栅极和源极之间添加电容器时，电容值不能太大。
