随着时间的推移，MOS技术和晶圆结构发生了巨大的变化。从技术角度来看，平面栅(Planar Gate)、沟槽栅(Trench Gate)结构已成为高性能离散功率MOS的主流。沟槽栅(Trench Gate)结构可以显著降低沟道电阻(Rchannel)和JFET电阻(RJFET)，沟槽栅结构能提供最短的Drain到Source电流路径, 减少Rdson的能力。👇👇👇更多技术资料👇👇👇 而沟槽屏蔽栅(Trench shielded Gate)结构是在沟槽栅(Trench Gate)结构基础上发展起来的，图1为两种结构的对比，沟槽屏蔽栅结构将栅极进一步向下埋。图1-Trench Gate and Trench shielded Gate沟槽屏蔽栅(Trench shielded Gate)结构的优点，有如下几点：1)能获得更低的Rdson，从而能够减小导通损耗，如图2所示；图2-Rdson comparison2)减小Gate和Drain接触面积，即减小Cgd，对应的Qg减小，从而减小开关损耗，如图3所示；图3-Cgd comparison3)屏蔽栅结构相当于内置了RC吸收电路，即Rshield，CDrain-Shield和CGate-Shield，有助于降低Vds的尖峰电压，也有利于降低EMI，如图4所示。图4-内置RC of Trench shielded Gate另一方面，从晶圆的结构来看，随着时间的发展，每一代的晶圆尺寸都在变小，也会进一步降低Rdson和Cgd，从而能够进一步降低损耗，提高效率和功率密度。进大家庭⭕圈探讨回复: 交流一点通推荐👍👍👍电子资料汇总4-20mA 电压控制电流输出电路研究分析 比亚迪组织架构和产业布局图，25届应届生还要不要去？ 电子电路设计--负电源电路原理、负电压 硬件工程师入门基础元器件与电路原理 分享💬点赞👍在看❤️ 以“三点”行动支持！每天中午11点28分
