中国存储芯片产能翻倍,美日韩存储芯片要完,明年会更惨!

文摘   2025-01-03 14:36   湖北  

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短短两年时间,中国存储芯片产能从全球的5%跃升至10%,预计明年将进一步扩大到15%。


这一速度之快、势头之猛,让美日韩芯片巨头感受到了前所未有的压力。


国产存储芯片的崛起并非一蹴而就。


回想2022年,由于缺乏先进设备,中国存储芯片企业的技术研发几近停滞。


但在同一年,中国率先量产了232层NAND Flash,技术领先的同时发起了猛烈的价格战,直接让三星的利润暴跌九成,美光巨亏数十亿美元。


那一年,国产芯片用一场硬仗证明了自己。


然而,风水轮流转。


美日韩随后量产更先进的300层NAND Flash,再次取得技术优势,同时凭借超过九成的市场份额将价格抬高。


虽然技术上短时间内被超越,但中国芯片企业并没有因此放慢脚步。



 

它们另辟蹊径,开始大力发展国产芯片设备替代,逐渐摆脱对海外高端设备的依赖。


同时,存储芯片的制造工艺相对逻辑芯片要求更低,例如DRAM内存只需要19纳米工艺,这让国产设备有了发挥的空间。


而这两年,国产设备的突破为中国存储芯片企业恢复产能奠定了基础。


如今,中国存储芯片正在以“白菜价”席卷市场,尤其是在固态硬盘和DDR4内存领域,价格暴跌四成以上。


过去两个月里,全球市场上DDR4内存价格已经降至历史新低。


这种疯狂的价格战,直接导致美日韩企业库存积压、利润下滑。


不少企业被迫缩减DDR4的产能,转向更高端的DDR5,希望避开与中国芯片的正面竞争。


但中国存储芯片的步伐并未停下。


国产DDR5内存芯片的量产已经开始,良率达到80%,且产能正在稳步提升。


按照目前的增长速度,明年国产DDR5内存很可能会抢占更大的市场份额。


一旦DDR5的价格也被拉低,全球存储芯片市场将迎来新一轮的洗牌。



 

当然,美日韩并非完全没有还手之力。

它们的底牌是HBM(高带宽存储)芯片。


这种芯片主要用于高性能计算领域,由三星、SK海力士和美光主导,并与NVIDIA深度合作设定技术标准。


由于技术门槛较高,目前中国存储芯片企业在HBM领域还难以撼动它们的地位。



但回顾以往的经验,中国芯片企业向来善于从追赶到超越,一旦突破关键技术,局势可能再次反转。


这场存储芯片的博弈,表面上看是一场技术与价格的较量,但背后却是战略布局与市场主导权的争夺。


中国芯片企业显然深谙价格战的精髓。


通过不断压低价格,不但削弱了美日韩企业的利润,还逼得它们不得不跟进降价。


而对于中国这样一个全球最大的芯片消费市场来说,价格战的最大受益者其实是本土市场。


这种以“以战养战”的模式,不仅夺得了市场份额,还加速了国产芯片的成长。


与此同时,中国芯片代工企业也在崛起。



 

许多中国台湾的芯片企业因成本考虑,已经将订单转向大陆厂商


比如,中芯国际今年三季度的增速达到14%,超过了台积电的13%,而三星的代工业务则大幅下滑。


中国芯片企业正在通过低价策略和高性价比,逐步扩大在全球市场的影响力。


中国芯片的崛起,也让全球芯片产业链感受到了巨大的震动。


美国早前通过限制先进设备出口等手段试图遏制中国芯片发展,但从目前的情况看,这些措施并未从根本上阻止中国芯片的崛起。


相反,中国芯片企业通过技术突破和市场策略,正一步步反击,并形成了自己的竞争优势。


可以说,这是一场充满变数的博弈,而中国芯片正以“既生瑜何生亮”的姿态,冲击着全球市场格局。


未来,存储芯片行业的竞争将更加激烈。


国产芯片能否进一步在技术上取得突破?HBM领域的壁垒能否被打破?这些都是悬在行业头上的问号。


不过可以确定的是,中国芯片企业的崛起已经是不可逆的趋势。


从价格战到技术战,从市场份额到产业链布局,中国芯片正在用自己的方式重新定义全球半导体行业的游戏规则。



 

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